실험01 MOSFET 특성(예비)

목차

1. 실험 주제
2. 실험과 관련된 기초이론
3. 실험 방법
4. PSpice 시뮬레이션
5. 기타사항

본문내용

1 실험 주제
- MOSFET의 세 단자인 소스, 게이트, 드레인의 특성을 모의실험을 통하여 알아본다.

2 실험과 관련된 기초이론
FET는 인가된 전압에 의해 생기는 전계로 흐르는 전류를 제어한다.
FET는 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)와 금속-산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 두 종류가 있다.
MOSFET는 BJT에 비해 아주 작게 만들 수 있고 제조공정이 간단하다.
N-채널 MOSFET은 구조적으로 소스와 드레인 사이에는 n채널이 존재하지 않는다. 따라서 게이트 전압이 0V이면 소스와 드레인 사이에는 전류가 흐르지 않는다. 따라서 MOSFET는 차단상태가 된다. MOSFET에 전류가 흐르게 하기 위해서는 양의 게이트 전압을 걸어 주어야 한다. 게이트전압을 양으로 하면 게이트는 자유전자를 P영역으로 끌어당긴다. 게이트 전압이 충분히 크면 산화막 바로 밑에 얇은 n형 물질을 만드는 것과 같이 되는데 이 얇은 도전층을 n형 반전층이라부르며 이것에 의해 자유전자는 소스에서 드레인으로 쉽게 이동한다.

참고 자료

없음