[ZnO 바리스터] ZnO 바리스터

등록일 2003.06.15 | 최종수정일 2016.10.26 한글 (hwp) | 16페이지 | 가격 1,000원

소개글

ZnO 바리스터

목차

1.실 험 목 적
2.실 험 이 론
- Varister
- Varister의 응용원리
- ZnO Varister
- 그 외의 Varister
3.실험전 준비사항
4.실 험 방 법
5.실 험 결 과
6.결 과 및 토 의
7.참 고 문 헌

본문내용

그 외의 바리스터
SiC 바리스터
SiC 바리스터는 100~150㎛의 SiC입자를 자기질 결합제와 함께 가압성형후, 1100~1300℃ 의 고온에서 소결한 것으로, 비옴성은 SiC입자 접촉의 계면에 기인하고 있다. SiC에 있어서 비옴성은 1835년에 입자의 접촉저항이 비옴성을 나타내는 것을 Murk가 발견했을때에 시작되었다 한다.
SiC의 비옴성은 1920년대에 들어서 처음으로 피뢰기의 변저항으로서의 응용에 검토 되어, 1930년대에 피뢰기로서 실용화되었다. 그래서 1940년대에 들어서, 통신기용 부품으로서 릴레이 접점의 불꽃소거용의 용도가 검토되어, 크로스바 교환기의 실용화와 함께 불꽃 소거용의 바리스터로서 사용되게 되었다. 1950년대에서 1960대에 걸쳐서, 더욱이 상세하게 물성면, 응용면에서의 연구가 되어졌는데, ZnO 바리스터의 출현과 함께 연구 중심은 ZnO계로 이동해 갔다.
SiC 바리스터는 보통의 세라믹스 기술을 이용하여 만들어진다. 주원료의 SiC로서는 100~150㎛의 흑색 SiC가, 또 자기질 결합제로서는천연사의 점토, 도석, 장석 등이 이용되고 있다. 소결분위기는 산화성, 비산화성의 어느것에도 좋다. 산화성 분위기의 경우는 소결온도를 변화시켜 바리스터 전압을 제어하는데 비해서, 비산화성 분위기의 경우는 바리스터 전압의 소결온도 의존성이 작기 때문에 첨가량을 가해 그량으로 제어한다. 전극으로서는 Al, Cu 등의 용사전극, Ag 페스트의 소부전극, 금속캡의 압입전극 등이 형상이나 용도에 따라서 사용이 나누어진다.
SiC 바리스터의 비옴성은 SiC 입자계면의 쇼트키형 에너지 장벽에 기인하는 것으로 고려되고 있다.

참고 자료

뉴세라믹스 박정현 반도출판사 1996. 2. 25
뉴세라믹스 반노히사오 겸지사 1990. 6. 10
세라믹실험 교육위원회반도출판사 1999. 8. 25
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