CVD이론

등록일 2003.06.14 한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,000원

목차

CVD이론

여러 가지 박막의 예
CVD
PDP
FED
다이아몬드박막
MMIC
다이아몬드 만들기
열전도특성을 갖는 CVD 다이아몬드
초미립 다이아몬드 코팅필름을 이용한 응용분야

고찰 및 결론

본문내용

화학기상증착(CVD) 은 여러가지 물질의 박막제조에 있어서 현재 가장 널리 쓰이고 있는 방법이다. CVD의 응용범위는 반도체와 같은 microelectronic devices의 제조에서 부터 보호막의 코팅에 이르기 까지 매우 다양하다.
보통의 CVD 공정에서는, 상온의 반응기체(일반적으로 carrier-gas에 의해 농도가 낮아진다) reaction chamber안으로 유입된다. 이 기체 혼합물은 증착표면에 이르기 까지 가열되고, 대류 또는 증착표면의 가열에 의해 계속 열을 공급받는다. 여러가지 공정 조건에 따라서 반응기체는 증착 표면에 이르기 전에 기상에서 homogeneous한 반응을 일으키기도 한다. 증착표면 근처에서는 기체흐름이 가열되고, 점성에 의해 속도가 떨어지며, 조성의 변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 boundary layer가 형성된다. 도입기체 또는 반응중간체(기상 열분해에서 생긴)는 증착표면에서 heterogeneous한 반응을 일으키고 이로 인해 박막이 형성되게 된다. 이어서 기상의 부산물들은 reaction chamber를 빠져나간다.
박막은 지난 4반세기 동안 매우 많은 연구의 대상이 되어왔는데, 그 이유는 박막이 특히 반도체의 제조에 중요하기 때문이다.
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