MOSFET 차동증폭기 예비
- 최초 등록일
- 2014.06.10
- 최종 저작일
- 2013.09
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소개글
"MOSFET 차동증폭기 예비"에 대한 내용입니다.
목차
15.1 실험 개요
15.2 배경 이론
15.3 실험 기자재 및 부품
15.4 예비 보고 사항
본문내용
15.1 실험 개요
차동 증폭 회로(differential amplifier)는 출력이 단일한 단일 증폭 회로(single-ended amplifier)에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스(bypass) 및 커플링(coupling) 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀더 용이하여 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다.
15.2 배경 이론
[그림 15-4] 공통 모드 입력에 대한 증폭 회로의 동작
두 개의 동일한 규격의 MOSFET에 대하여 각 MOSFET의 두 소오스(source)를 서로 연결하여 정전류원으로 바이어스한다. 각 MOSFET의 드레인은 저항을 통하여 정전압원으로 연결된다. 이러한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하기 위하여 우선 필요한 것은 각각의 MOSFET이 허용할 수 있는 공통 모드 입력(common-mode inpu) 전압의 범위를 구하는 일이다. 위의 그림 [15-4]에서 이러한 공통 모드 입력 전압 회로를 나타내고 있다.
다음 두 식은 공통 모드 입력 전압 의 최대 및 최소 값을 나타낸 식이다. 최대 값은 MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 게이트 전압의 최대 값에서 유도되었으며, 최소 값은 전류 I를 공급하는 전류원이 정상적인 동작을 하는 데 필요한 전압 를 제공하는 경우에 필요한 게이트 전압으로부터 계산할 수 있다.
참고 자료
전자회로실험 기초부터 심화까지 - 한빛미디어