MOSFET 예비

소개글

"MOSFET 예비"에 대한 내용입니다.

목차

1 실험 개요
2 배경이론
3 예비 보고 사항
4 실험 절차 및 결과 보고

본문내용

MOSFET는 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

8.2 배경이론

MOSFET은 “Metal Oxide Semiconductor”, “Field Effect Transistor” 의 약자로 각각 구조와 동작 원리를 나타낸다. Transistor이므로 역시 source, drain, gate로 나뉜다.

[그림 1] MOSFET 단면도
빗금친 부분이 산화막이며, 이 산화막은 금속과 바디부분을 절연하는 절연체 역할을 한다. 또한 소스와 드레인의 극에 따라 NMOS, PMOS로 나뉜다.

참고 자료

없음