[반도체제조공정] 반도체 제조공정
- 최초 등록일
- 2003.06.11
- 최종 저작일
- 2003.06
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목차
I. 서론
II. 본론
1. 반도체 산업의 구조
2. 부문별 특성
3. 반도체산업의 산업정책적 의의
4. 한국 반도체산업의 특징
6. 한국 반도체의 현황(소자부문)
7. 사업환경(발전의 장애요인)
한국 반도체 기업사례
본문내용
959년 Texas Instruments에서 kilby에 의해 첫 반도체 집적회로(IC)가 개발된 이후, SSI (Small-Scale Integration)에서부터 MSL (Middle-Scale Integration)를 거쳐 마침내 Chip당 107 또는 그 이상 구성부품으로 이루어진 ULSI (Ultra-Large -Scale Integration)이 개발되기까지 반도체 Chip 위에 만들어지는 전자 회로는 복잡해지고 그 밀도가 더욱 증가되어 왔다. 원래 Solid-State Electronic Device의 반도체 재료로서는 게르마늄(Ge)이 사용되었으나 게르마늄은 좁은 Bandgap (0.66eV)으로 인해 섭씨90도 이상의 온도에서는 상당한 누설전류가 발생되기 때문에 게르마늄으로 만든 Device의 동작온도가 제한된다. 그러나, 실리콘(Si)의 경우, 넓은 Device의 Bandgap(1.12eV)으로 인해 약 200도까지 Electronic-Device 의 동작이 가능하다. 또한 좁은 Bandgap보다 더 심각한 문제는 게르마늄 표면에는 안정된 Passivation층이 잘 형성되지 않는다는 것이다
참고 자료
․한국기업의 국제경영 전략사례 -경문사-
․삼성전자 30년사 -삼성인쇄-
․세계 반도체산업의 발전전망과 한국의 대응전략 -세계경제연구원-
․한국기업과 신흥 해외시장(국제경영사례) -무역경영사-
․한국 반도체 산업 세계기술을 선도한다. -현대경제사회연구원-
․한국 반도체/컴퓨터산업의 혁신체제의 진화과정 및 개선방안 -과학기술정책연구원-
․산업연구시리즈. - 정보통신연구원-
․반도체산업의 세계화전략 -산업연구원-
<참고자료>
․통계청 KISA자료
․IC Insights 자료