[반도체] 단결정 성장

등록일 2003.06.08 MS 파워포인트 (ppt) | 17페이지 | 가격 1,000원

소개글

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목차

1)반도체에 단결정이 사용되는 이유
2)반도체 제조 공정
3)결정 성장이란?
4)결정 성장법의 종류 및 원리
① 인상법 (Czochralski method)
②대역 용융법(Floating zone method)
③ 에피택시얼 성장법(Epitaxial growth method)
㉠ 기상 에피택시(Vapor Phase Epitaxy)
㉡ 액상 에피택시(Liquid Phase Epitaxy)
㉢ 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy)
5) Application

본문내용

단결정 정의:원자가 규칙적으로 배열하여 하나의 결정을 이룬 것
사용하는 이유:
1) 결정 입계가 없다.
2) 특정한 방향으로 특정한 성질을 갖는다.
3) 개개의 원자는 일정한 전위(전압)을 지니고 있다.
⇒ 전기적 성질이 우수

에피택시얼 성장법: 이미 만들어져 있는 단결정의 표면에그 결정과
결정 방향을 맞추어서 새로운 결정층(박막)을 형성하는 기술
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