직렬 및 병렬 다이오드 구조 결과레포트
- 최초 등록일
- 2014.03.25
- 최종 저작일
- 2014.03
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목차
1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험용 기기 및 소자 리스트
4. 실험
5. 결론 및 고찰
본문내용
1. 실험 목적:
전압,전류,저항값을 측정하여 직렬 및 병렬 다이오드 구조에 대한 해석능력을 높인다.
2. 관련 이론:
다이오드와 DC입력이 포함된 회로의 해석은 다이오드 온 또는 오프상태를 먼저 결정하여야 한다. 다이오드가 오프상태에서 다이오드 전압을 유도한다. 다이오드 전압이 문턱전압 (Si다이오드 경우에는 0.7V, Ge 다이오드 경우에는 0.3V) 이상일 경우에는 온 상태, 이하일 경우에는 오프상태로 된다.
다이오드가 온 상태에서는 다이오드를 문턱전압의 전압원으로 등가 시켜 다이오드 회로를 해석한다.
다이오드에 문턱전압 이하 <0.7 (Ge 다이오드 경우에는 0.3V) 또는 역방향 바이어스가 인가 될 경우 다이오드는 개방회로로 등가시켜 회로를 해석한다.다이오드에 병렬로 연결한 소자들들 순방향 바이어스일 경우 같은 0.7V 이상의 전압이 걸리지 않는다. 개방회로에서 전압은 걸리지만 전류는 0이 된다. 단락회로에서는 전압강하는 없고, 전류는 단지 외부회로 및 다이오드에 의해 결정된다.
- 직렬 회로 V1 = IR1. V2 = IR2. V3 = IR3, 합성저항 R = R1 + R2 + R3,
전체전압 V = V1 + V2 + V3. 각 저항체에 흐르는 전류는 같다.
- 병렬 회로 전체전류 I = I1 + I2 + … + Ix. 각 저항체의 전압은 일정하다. 직렬연결은 다이오드 역내압을 높일때 사용하고 병렬연결은 다이오드 전류용량은 높일때 사용한다.
3. 실험용 기기 및 소자 리스트
● 실험용 기기의 리스트:
DMM, 파워서플라이, 브레드보드
참고 자료
없음