[식각] 식각

등록일 2003.06.02 한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 식각의 정의
2. 식각의 종류
3. 건식식각과 습식식각의 비교
4. 건식식각의 분류
5. 습식식각의 분류
6. 식각의 문제점

본문내용

I. 식각(Etching)의 정의
식각(Etching) 공정은 웨이퍼 표면의 선택된 부분을 제거하기 위해서 사용되는 공정으로 반도체 공정 중 노광(Photolithography) 공정 다음의 단계이다. 노광을 통해서 형성된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하고 마스크 아래 부분과 외부에 노출된 부분의 화학 반응을 다르게 해 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정이다. 이렇게 형성되는 패턴은 각 패턴 층에 대해서 반복적으로 일어나게 된다.

Ⅱ. 식각(Etching)의 종류
식각은 산화막층을 제거하는 방법에 따라 크게 2가지로 나눌 수 있다. 산과 알칼리 같은 용액성 화학 물질을 이용하여 제거하는 습식 식각(Wet Etching)과 기체를 활성화하여 거기에서 생성된 가스 플라즈마를 이용해서 제거하는 건식 식각(Dry Etching)이 있다. 습식 식각 공정은 반도체 공정에서 가장 광범위하게 사용되어지는 식각공정으로 절단한 웨이퍼의 표면 연마와 열산화막이나 에피택시층 등을 성장하기전의 웨이퍼 세척, 그리고 최소 선폭의 길이가 3μm 이상인 반도체 소자 제작등과 같은 공정에 주로 사용되어 진다. 이러한 습식 식각은 기판이 여러 가지가 있다는 것과 비가역 과정이라는 문제가 있다. 그에 비해 건식 식각은 미세 패턴 형성에 있어서 노광과 함께 가장 기본적이고 중요한 공정의 하나로써, 장점으로는 습식 식각이 용액을 이용하기 때문에 마스크 하부에도 진입해 언더컷이 일어나는 등 식각이 등방적으로 진행되는데 비해 건식식각은 비등방적이기 때문에 정확한 패턴 형성이 가능하다. 가스 플라즈마를 이용하기 때문에 자동화가 가능하여 수율(수득률)을 높일 수 있다. 또 진공상태에서 식각 공정이 일어나기 때문에 깨긋한 공정이 일어나며 폐수 처리 등의 문제가 없다. 하지만 건식 식각의 단점으로는 너무 많은 공정 변수를 가진다는 점과 플라즈마 내의 이온 충격이나 래디컬에 의한 손상과 오염이 발생할 수 있고 또한 건식 식각이 어려운 물질인 구리와 백금이 있다는 점이다.
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • 노광공정 및 식각공정 29페이지
    Etching(식각)이란 물리적, 화학적인 반응을 이용하여 Glass 상에 PR에 의하여 형성된 Pattern대로 박막을 선택적 제거함으로써 실제의 박막 Pattern을 구현하는 방법Pattern이 형성된 부분의 박막은 남게 되고 PR이 없는 부분의 박막은 제거된다습식..
  • LED광학-반도체 공정 건식식각 (Dry+Etching) 10페이지
    기체 입자, 즉 기체분자나 원자에 에너지가 가해지면(일반적으로 가 속된 전자의 충돌에 의한 에너지 전달. 그 외에도 열적, micro-wave 에 의해서도 가능하다.) 최외각 전자가 궤도를 이탈함으로써 자유전 자가 되어 양전하를 띄게 되며 분자 혹은 원자와 음전하..
  • [반도체 공정]Dry etching 22페이지
    Introduction to Etch Process Obective: pattern transfer 반응원리:Physical etch – ion accelerated by E fieldAnisotropic etch(비등방성 식각)Selectivity(선택비)낮음La..
  • 디스플레이 식각공정이란? /건식식각/습식식각/dry/wet ethcing 13페이지
    4. 컬러 필터와 포토 레지스트(1) 컬러필터는 색상을 구현하는 컬러필터 패턴과 R, G, B 셀 사이의 구분과 광 차단 역할을 하는 블랙매트릭스(Black Matrix), 그리고 액정에 전압을 인가하기 위한 공통 전극으로 구성되어 있다. 컬러 필터 제작 순서는..
  • 플라즈마 에칭 21페이지
    Plasma Etching mechanism 식각과정은 습식식각과 건식식각으로 나눌 수 있는데 언더컷 등의 이유 등으로 습식식각에서 건식식각으로 대부분 공정이 바뀌게 되었고 건식식각 공정에서 대부분 사용되는 플라즈마 식각에 메커니즘에 대해서 조사하였다. 플라즈마 메커니..
  • 60습식식각 14페이지
    PSG(인 실리게이트) 식각낮은온도에서 인을 도핑한 산화막으로 보통 절연층이나 보호층으로 사용됨식각 용액은 HF나 BHF를 주로 사용함 보호층일때 알루미늄을 보호하기위해 BHF를 사용반응식은 SiO2와 같다인의 도핑농도가 다르기때문에 수평식각이 일어남Wet Etch의 ..
  • 11Dry_Etching_CAIBE 18페이지
    노광 공정을 통해 형성된 감광제 모형(pattern)들을 마스크로 하고, 마스크 아래에 있는 부분과 외부로 노출된 부분들 사이에 화학 반응이 전혀 다르게 함으로써 마스크로 보호되지 않는 부분들이 공정이 진행됨에 따라 떨어져 나가게 하는 것.식각 공정에 의하여 확산이나 ..
더보기
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      4. 지식포인트 보유 시 지식포인트가 차감되며
         미보유 시 아이디당 1일 3회만 제공됩니다.
      상세하단 배너
      최근 본 자료더보기
      상세우측 배너
      추천도서
      [식각] 식각