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[식각] 식각

등록일 2003.06.02 한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 식각의 정의
2. 식각의 종류
3. 건식식각과 습식식각의 비교
4. 건식식각의 분류
5. 습식식각의 분류
6. 식각의 문제점

본문내용

I. 식각(Etching)의 정의
식각(Etching) 공정은 웨이퍼 표면의 선택된 부분을 제거하기 위해서 사용되는 공정으로 반도체 공정 중 노광(Photolithography) 공정 다음의 단계이다. 노광을 통해서 형성된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하고 마스크 아래 부분과 외부에 노출된 부분의 화학 반응을 다르게 해 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정이다. 이렇게 형성되는 패턴은 각 패턴 층에 대해서 반복적으로 일어나게 된다.

Ⅱ. 식각(Etching)의 종류
식각은 산화막층을 제거하는 방법에 따라 크게 2가지로 나눌 수 있다. 산과 알칼리 같은 용액성 화학 물질을 이용하여 제거하는 습식 식각(Wet Etching)과 기체를 활성화하여 거기에서 생성된 가스 플라즈마를 이용해서 제거하는 건식 식각(Dry Etching)이 있다. 습식 식각 공정은 반도체 공정에서 가장 광범위하게 사용되어지는 식각공정으로 절단한 웨이퍼의 표면 연마와 열산화막이나 에피택시층 등을 성장하기전의 웨이퍼 세척, 그리고 최소 선폭의 길이가 3μm 이상인 반도체 소자 제작등과 같은 공정에 주로 사용되어 진다. 이러한 습식 식각은 기판이 여러 가지가 있다는 것과 비가역 과정이라는 문제가 있다. 그에 비해 건식 식각은 미세 패턴 형성에 있어서 노광과 함께 가장 기본적이고 중요한 공정의 하나로써, 장점으로는 습식 식각이 용액을 이용하기 때문에 마스크 하부에도 진입해 언더컷이 일어나는 등 식각이 등방적으로 진행되는데 비해 건식식각은 비등방적이기 때문에 정확한 패턴 형성이 가능하다. 가스 플라즈마를 이용하기 때문에 자동화가 가능하여 수율(수득률)을 높일 수 있다. 또 진공상태에서 식각 공정이 일어나기 때문에 깨긋한 공정이 일어나며 폐수 처리 등의 문제가 없다. 하지만 건식 식각의 단점으로는 너무 많은 공정 변수를 가진다는 점과 플라즈마 내의 이온 충격이나 래디컬에 의한 손상과 오염이 발생할 수 있고 또한 건식 식각이 어려운 물질인 구리와 백금이 있다는 점이다.
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