[응용화학공학부] 금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사

등록일 2003.05.29 한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,400원

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 이론
4. 실험방법
5. 실험기구
6. 추론
7. 토의

본문내용

1.실험목적
알루미늄 착물을 이용하여 질화알루미늄(AlN)분말을 합성하고, AlN이 생성되는 반응과정, 즉 반응메카니즘을 추정해 본다.

2. 이론
최근 반도체 소자의 소형화와 고집적화에 따라 회로 단위면적당 방출하는 열의 증가로 칩의 온도가 상승하여 회로의 신뢰도 및 수명이 떨어지는 문제점이 생기게 되었다. 따라서 회로에서 방출되는 열을 효율적으로 방출시켜 회로를 보호하기 위해 높은 열전도도를 갖는 기판 및 패키지를 사용해야 할 필요가 대두되었다. 질화알루미늄(AlN)은 높은 열전도성, 높은 전기절연성, 낮은 유전상수 및 유전손실, 실리콘과 비슷한 열팽창계수 등과 같은 특성을 가지고 있어 반도체의 기판재료나 반도체 레이저용 방열재 등과 같은 전자재료로서의 수요증대가 크게 기대되고 있다.

* 질화알루미늄(Aluminum nitride)
질화알루미늄은 본질적으로는 내열성과 내식성으로 특징 되는 비산화물로서 연구가 개시되었다. 이 물질이 처음으로 합성된 것은 1862년이다. 20세기 초, 질화알루미늄은 물과의 반응을 이용하여 암모니아를 합성하는 공중질소 고정의 중간체로서 이용되었다. 그러나, 이 용도는 Haber법의 출현으로 사용되지 않게 되었다. 그 후, 1950년대 후반에 이르러 다시 뉴세라믹스로서 등장하였고, 기능 면에서 내열, 내식성, 전기 절연성, 압전성, 고열전도성, 광투과성 등 여러 가지의 가능성이 검토되었지만, 가장 주목되고 실용화로 발전한 것은 고열 전도성 재료로서의 질화알루미늄이다.
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