아주대학교 논리회로실험 실험9 예비보고서

소개글

13년도 2학기 A+받은 자료로 아주대학교 교재를 참고하여 작성하였으며 보고서 형식과 내용은 실험책에 맞추어서 다른 소스 참고없이 직접 최대한 상세하게 작성하였습니다. 주로 논리회로교재의 내용을 참고하여서 시험대비에 용이합니다.
필요시 인터넷에 자료를 검색해보거나 도서관에서 논리회로실험 관련 서적을 빌려 참고하였으며 그림은 스캔하여 첨부하였습니다.

목차

[1]실험목적
[2]실험에 필요한 이론에 대한 상세한 설명
[3]실험부품과 DATASHEET
[4]실험과정 및 예상 결과에 대한 상세한 설명
[5]각 실험의 결과에 대한 피스파이스 자료 첨부
[6]참고문헌 및 출처

본문내용

1. 실험목적
반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아보고 64-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.

2. 실험이론
메모리의 사용
메모리는 한 개 이상의 정보를 저장할 수 있는 매개체 또는 소자를 가리킨다. 2진계에서는, 한 비트가 0과 1의 두 경우 중 하나로 저장된다. 플립-플롭이 한 비트 메모리의 예이며, 적절한 전송 메커니즘과 읽기-쓰기 회로를 갖춘 마그네틱 테입이 대형 메모리의 예인데, 보통 10 ^{12} 정도의용량을 갖고 있다.
컴퓨터의 메모리는 주 메모리와 파일 메모리로 나뉜다. 주 메모리는 고속 반도체 메모리로 이루어지는 반면, 파일 메모리는 보통 주 메모리보다 상당히 느린 디스크 드라이브(disk drive) 시스템으로 구성된다. 주 메모리에서 명령 또는 데이터 워드 한 개를 저장하거나 불러오는 데는 수십 ns 정도가 걸리지만, 파일 메모리는 수백 mu s에서 수 ms 가 소요된다. 먼저 주 메모리에 대해 알아보자.
반도체 메모리를 크게 읽기-전용 메모리(read-only memory : ROM)와 랜덤-엑세스 메모리(random-access memory : RAM)라 불리는 읽기-쓰기 메모리의 두 가지로 분류된다. 랜덤-엑세스(random-access)는 메모리 내의 어 장소도 동일한 시간에 정보를 읽거나 쓸 수 있다는 것을 의미한다. 이것은 마그네틱 테입 같은 경우에도 직렬 저장된 내용의 목록은 읽기헤드(readhead)라고 하는 앞부분에 존재하지만, 실제 내용을 입BULLET 출력하기 위해서는 그 장소까지 테입을 돌려야 하기 때문이다.

참고 자료

이클래스 수업 자료 PPT
Digital Design, John F. Wakerly, P713-720
http://www.datasheetdir.com/TC74HC03AF+NAND-Gates
http://princess.kongju.ac.kr/digitalmain/dvlab/labtool/BreadBoard/BreadBoard/help/TTL89.html