[반도체재료 특성] 누설전류

등록일 2003.05.19 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 2,000원

소개글

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목차

1. 유전상수 측정
2. DRAM에서의 유전상수의 의미
3. 누설전류의 정의
4. 누설전류의 MECHANISM

본문내용

1.1.1. Elctrode-Limited Current : bulk 내부에서 전자의 이동을 방해하는 요인이 없고, bulk와 전극간의 일함수(work function, Φm)의 차이로 인한 potential barrier가 전극으로부터의 전자 공급을 제한하는 두 가지 조건을 만족하는 경우
○ Schottky current (Thermionic current) : potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자들이 흐르는 것
• Schottky current mechanism에서는 전류밀도가 온도 제곱에 비례하여 증가한다. 따라서 외부에서 가해주는 field의 변화에 대한 전류밀도가 ln J vs E1/2의 비례를 나타낸다.
○ Tunnel current : 전자 에너지가 potential barrier보다 낮을 때 누설전류가 흐르는 것. 이 경우에는 터널링(tunneling) 효과에 의해 전자가 potential barrier를 넘는다.
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