TiO2광촉매를 이용한 액정필름
- 최초 등록일
- 2013.12.17
- 최종 저작일
- 2013.12
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목차
1.배경-문제점
2.제품 설명
3.이론 설명
4.공정 과정
5.결론
본문내용
CVD공정에서 기판의 온도를 1200℃ 이상으로 하면 결정질의 SiH4가, 그리고 700℃정도에서는 거의 결정의 조성에 가까운 비결정질이 합성된다. 또한 저온에서 플라즈마 CVD를 하면 수소를 함유한 비결정질의 SiNxHy가 되며 x, y 값에 따라 여러 종류의 재료를 합성할 수도 있다. 이들 여러 종류의 질화규소가 용도에 따라 그에 맞게 쓰이고 있다. 이와 같이 다양한 재료를 고 순도이며 제어성이 좋게 합성할 수 있는 것이 CVD 공정의 특징이다
TiO2막을 FT-IR로 관찰하여 표면에서 유기물의 잔류를 확인 하였다. 모든 결정구조의 TiO2 막들은 전 영역에서 유기물의 피크 가 관찰되지 않았으며, 약 2380㎝-1에 나타난 피크는 공기중에서 TiO2표면에 흡수된 CO2의 것과 부합한다. 이 결과로부터 본 실험에서 합성한 모든 TiO2막들은 원료가 표면에 잔류하지 않는 순수한 TiO2막임을 알 수 있었다.
참고 자료
없음