[재료기기분석] 격자상수 구하기 및 X-선 이론 밀도

등록일 2003.05.11 한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

목차

Ⅰ 서 론

Ⅱ 본 론
1. 실험 방법
2. 결과 및 고찰
1) 다이아몬드 Cubic 구조의 Si 격자상수 a 값 구하기
2) 단위격자내의 원자개수 구하기
3) Si의 X-선 이론밀도 구하기
4) JCPDS card 없이 면지수 구하기

Ⅲ 결 론

본문내용

1. 실험 방법
Calibration Standard sample (Si)의 회절 패튼을 구하고 브라그 법칙과 구조인자 법칙을 이용하여 격자상수 a을 구하고, 단위정의 원자 개수와 체적을 구하여 이론밀도 구하기

2. 결과 및 고찰
1) 다이아몬드 Cubic 구조의 Si 격자상수 a 값 구하기
브라그 법칙과 입방정의 면간거리에서 Sin2θ 와 h2+k2+l2 사이에 관계를 유도한다.
브라그 법칙 nλ=2dsinθ에서
입방정의 면간거리
d값은 동일하므로 결국엔 위의 식은 다음과 같이 된다

양변을 제곱하면

격자상수(a), 파장(λ), 반사차수(n)은 알고 있는 값이므로 특정한 상수 k라고 하자.

sin2θ값은 어떠한 특정한 k값을 곱한만큼 h2+k2+l2에 비례한다.

브라그 법칙과 입방정의 면간거리공식으로 다이아몬드 Cubic구조의 Si격자상수 a값을 구하여보자.

(반사차수 n은 1로 두었다.)
파장(λ) = 1.54056Å θ값이 14.2193일 때 h2+k2+l2 의 값은 3이다.
이와 같은 방법으로 구하여보면 표 2와 같다.
격자상수 a값의 평균값을 구하여 보면 5.4316Å이다.
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