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등록일 2003.05.09 MS 워드 (doc) | 13페이지 | 가격 1,000원

목차

@ BJT (Bipolar Junction Transistor)
@ Junction Field Effect Transistor (JFET)

본문내용

@ BJT (Bipolar Junction Transistor)
Bipolar Transistor는 Emitter, Base 그리고 Collector로 구성되어 있으며, npn과 pnp로 제작할 수 있습니다.
외부의 Bias가 인가되기 전에는 2개의 다이오드가 결합되어있는 듯한 모양을 가지고 있습니다.
하지만, Bias가 인가되었을 때는 생각하지 못했던 현상들이발생하게 됩니다. 왼쪽 그림은 Bias가 인가된 BJT 그림입니다.
각각의 Diode는 대략 0.7 V의 Barrier potential를 가지고 있으며, 이들에게 외부의 Voltage Source가 인가되었을 때, Base, Emitter, Collector 등 각각의 전자 관점에서 함께 살펴보면
- Emitter Electrons

Emitter는 전자가 정공에 비해 매우 많은 Position를 차지하고 있습니다. 따라서 상대적으로 매우 얋은 층을가지고 있는 Base를 건너 Collector로 Emitter에서 나온 전자가 움직이게 되는 효과를 얻어낼 수 있습니다.
Collector의 Doping 수준은 일반적으로 Emitter에 비해 약하게 하며, Emitter에서 건너온 전자들의 집합 장소이기도 합니다.

- Base Electrons

만약에 Base 쪽으로 인가되는 전압이 Base-Emitter 다이오드의 Barrier Potential 보다 더 크다면, Emitter의 전자들은 Base 쪽으로 움직이기 시작합니다. Base에 도착한 전자들은 두개의 방향으로 각각 나뉘어집니다.
대부분의 전자는 Collector 쪽으로 움직이고, 소량의 전자는 Base와 연결된 외부의 전원단으로 움직이게 됩니다. 여기서 대부분의 전자가 Collector 쪽으로 움직이는 이유는 Base의 Doping level에 의한 전자의 lifetime 증가에 있습니다. Collector 쪽으로 전자가 움직이기에 충분한 시간을 제공하기 때문입니다. 또한 Base는 상대적으로 매우 얇은 층을 가지고 있기 때문에 더욱 더 쉽게 전자가 Collector 쪽으로 움직이게 되는 것 입니다.

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