[반도체] 단결정 성장 방법

등록일 2003.05.02 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,000원

목차

Czochralski법
Liquid phase epitaxi(LPE)
PECVD(plasma enchanced chemical vapor deposition)

본문내용

Czochralski法

1)정의 : 창시자의 이름을 따서 초크랄스키법(Czochralski法:1918) 나켄법(1915) 키로플러스법(Kyropoulos法:1926)이라고도 한다. 이 방법은 단결정 육성법 중에서는 가장 원리 장치가 확립되어 있으며, 그 순서는 도가니 속의 용융액에 씨결정을 담근 후에 용융액온도의 균일성 및 비등방성장(非等方成長) 방지를 목적으로 도가니 또는 결정을 회전시키면서 서서히 끌어올려서 결정을 육성한다.

2)장점 : 얻은 결정은 도가니에 구애받지 않고 자유로운 상태에서 성장하므로 비교적 완전성이 양호하다고 할 수 있다.

3)단점 : 결정 형상이나 성질은 인상속도(성장속도) 회전속도 온도기울기 또는 결정방위에 의하여 지배되므로 이들에 대한 적절한 제어가 가장 중요하다. 또 인상에 따라 용융액의 조성변화가 생기는 경우에는 대용량의 도가니나 부유(浮遊) 도가니가 사용된다. 규소나 게르마늄 단결정은 주로 이 방법으로 큰 것을 생산하고 있다.
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • LPE, VPE, MBE 장비 3 페이지
    액상 에피택시(LPE:Liquid Phase Epitaxy) LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술이다. 반도체와 제 2원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도..
  • 박막 태양전지 보고서 5 페이지
    Ⅰ. 태양전지 [ solar cell ] 태양의 에너지를 직접 전기 에너지로 바꾸는 장치. 전지라는 이름이 붙어있지만 건전지 등의 전지와는 다르다. 태양전지는 방송위성뿐 아니라 휴대용 전자계산기, 전자시계, 옥외시계, ..
  • TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허 16 페이지
    1. 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 기술 개요 우리조의 주제는 TFT 기술로써 특히 TFT 단위공정 기술에 중점을 두었다. TFT는 반도체나 디스플레이 산업의 주요 핵심기술로써 TFT 기..
  • 박막 재료 31 페이지
    *Until now the only film dimension considered has been thickness, a variable controlled by the growth or deposition process. ..
  • 박막 에칭 16 페이지
    ○ 에칭 (etching) 화학약품의 부식작용을 응용한 소형(塑型)이나 표면가공의 방법이다. 흔히 식각(蝕刻)이라고도 한다. 사용하는 소재에서 필요한 부위만 방식 (防蝕) 처리를 한 후 부식시켜서 불필요한 부분을 제거하여..
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      최근 본 자료더보기