[반도체] 단결정 성장 방법

등록일 2003.05.02 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,000원

목차

Czochralski법
Liquid phase epitaxi(LPE)
PECVD(plasma enchanced chemical vapor deposition)

본문내용

Czochralski法

1)정의 : 창시자의 이름을 따서 초크랄스키법(Czochralski法:1918) 나켄법(1915) 키로플러스법(Kyropoulos法:1926)이라고도 한다. 이 방법은 단결정 육성법 중에서는 가장 원리 장치가 확립되어 있으며, 그 순서는 도가니 속의 용융액에 씨결정을 담근 후에 용융액온도의 균일성 및 비등방성장(非等方成長) 방지를 목적으로 도가니 또는 결정을 회전시키면서 서서히 끌어올려서 결정을 육성한다.

2)장점 : 얻은 결정은 도가니에 구애받지 않고 자유로운 상태에서 성장하므로 비교적 완전성이 양호하다고 할 수 있다.

3)단점 : 결정 형상이나 성질은 인상속도(성장속도) 회전속도 온도기울기 또는 결정방위에 의하여 지배되므로 이들에 대한 적절한 제어가 가장 중요하다. 또 인상에 따라 용융액의 조성변화가 생기는 경우에는 대용량의 도가니나 부유(浮遊) 도가니가 사용된다. 규소나 게르마늄 단결정은 주로 이 방법으로 큰 것을 생산하고 있다.
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