[전자회로실험] 전자회로실험예비-BJT의 특성 및 bias

등록일 2003.04.30 한글 (hwp) | 34페이지 | 가격 1,000원

목차

- 실험의 목적
- 문제 과정 배경
- 이론 & 결과, Pspice
- 베이스 바이어스 전압에 따른 동작점의 변화
- 베이스 저항에 따른 동작점의 변화
- 이미터 저항에 따른 동작점의 변화
- 컬렉터 전압에 따른 동작점의 변화
- 컬렉터 저항에 따른 동작점의 변화

본문내용

바이폴라 트랜지스터 (Bi + Polar)
두개의 극성(極性)을 가진 전하(전자와 정공)가 그 작용에 관여하는 트랜지스터.
바이폴라 트랜지스터는 원리적으로는 보통의 개별 트랜지스터를 그대로 집적한 것이라고
생각하면 된다. 에미터, 베이스, 콜렉터의 3개 부분이 서로 접촉하고 있는 형태로 되어있으며 에미터-베이스, 베이스-콜렉터 간에 두 PN 접합을 가지고 있다. 일반적으로 바이폴라 트랜지스터는 고속이기는 해도 전력소비가 많고 제조공정이 복잡하기 때문에 VLSI급이상에서는 주류를 이루지 못한다.

바이폴라 트랜지스터의 개요
바이폴라 접합 트랜지스터 (bipolar junction transistor: BJT)는 반도체의 pn 접합을 사용하여 증폭 작용을 하도록 만든 능동 소자로서 에미터, 베이스, 콜렉터의 세 부분으로 이루어 진다. 다음과 같이 접합 형식에 따라 npn 트랜지스터와 pnp 트랜지스터로 구별되고, 증폭기로 사용할 때에는 입력과 출력에 공통으로 사용하는 단자에 따라 공통 에미터 증폭기, 공통 베이스 증폭기, 그리고 공통 콜렉터 증폭기로 분류된다.

아래 그림은 npn 트랜지스터의 기본적인 구조를 보여주고 있다. 활성 영역에서 에미터는 전자를 방출하여 베이스를 통해 콜렉터로 보내고, 콜렉터는 이 전자들을 수집한다.
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