[전자회로실험] 전자회로실험결과-BJT의 특성 및 bias

등록일 2003.04.30 한글 (hwp) | 23페이지 | 가격 1,000원

목차

- 실험의 목적
- 실험에 대한 생각
- 이론 & 결과, Pspice
- 오차의 원인
- 동작점이란 ?
- 바이어스에 따른 영역과 그 사용처
- 증폭에서의 베이스의 폭을 줄이는 이유
- 전류가 증폭되는 원리
- 값에 의한 변한 문제
- TR 바이어스의 설계
- TR의 영역에 따른 특성
- Early effect 무엇인가?
- 포화영역에서의 감소이유
- 에 의한 동작점의 안정화
- 에 의한 동작점의 포화
- 가 동작점에 미치는 영향
- 이미터 바이어스 저항의 영향
- 컬렉터 바이어스 전압의 영향
- 컬렉터 바이어스 저항의 영향
- BJT의 특성

본문내용

가변저항을 2.5kΩ으로 하고 실험하였을 때는 오차가 없었는데 최소로 하고 실험을 했을 때는 오차가 많이 생겼다. 그 원인은 가변저항의 오차, β값의 변화, 멀티미터의 오차 등을 들 수 있다.

2. 그림3.1에서 그림3.5까지의 회로 중에서 (a)npn, (b)pnp 형 트랜지스터의 forward bias 방법을 나타내는 것은? 또, 그 이유를 실험결과를 이용하여 설명하라.

그림 3-2가 pnp형, 그림 3-4가 npn형 트랜지스터의 forward bias 방법을 나타낸다.

트랜지스터의 forward bias의 경우에 베이스와 에미터 다이오드는 순방향 접속 베이스와 콜렉터 다이오드는 역방향 접속을 해야만 트랜지스터가 활성영역에서 동작하여 적은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 얻을 수 있다. 그렇지 않으면 크랜지스터는 차단영역에서 동작하므로(베이스 전류가 0A) 콜렉터 전류를 얻을 수 없다.

3. 에미터 bias를 증가시킬 때, 콜렉터 전류의 변화는 어떠한지 실험결과를 이용하여 설명 하라.

가변저항값을 줄여 베이스-에미터 간의 전류를 더 많이 흐르게 해주었을 때 콜렉터 전류도 따라서 증가함을 볼 수 있었다.

4. 에미터-베이스에 역 bias를 걸어주면, 콜렉터 전류는 어떻게 되는지 실험결과를 이용하 여 설명하라.

트랜지스터는 차단영역에 속하므로 콜렉터 전류는 흐르지 않는다. 베이스-에미터 사이에 역방향 bias를 걸어주면 베이스 전류가 흐르지 않게 되고, 따라서 콜렉터 전류도 0이 된다.

5. 의 물리적 의미를 설명하라. 또의 측정방법은?

는 다이오드의 역방향 bias 전류 즉 소수캐리어에 의한 미소전류 + 표면의 불순물과 결정구조의 결함 때문에 흐르는 표면누설 전류(전압에 직접비례)이며 이 값은 거의 0에 가깝다. (25℃에서 수㎁) 따라서 를 측정하기 위해서는 콜렉터 베이스 사이를 역방향으로 bias한 뒤 측정하면 되는데 그 크기가 매우 작으므로 멀티미터로는 측정하기 어렵다.

6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.

- data book -
MPS2222A [npn 형]
VBEO = 75V VCEO = 45V VBEO = 6V ICmax = 600mA hfe = 75
9CA1015 [pnp 형]
VBEO = 50V VCEO = 50V VBEO = 5V ICmax = 150 mA hfe = 70~540
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