반도체 제조 공정

등록일 2003.04.19 한글 (hwp) | 18페이지 | 가격 1,700원

소개글

반도체 제조 공정을 소개한 글입니다.

목차

1. 단결정 성장 방법
2. 규소봉절단
3. 웨이퍼 표면연마
4. 회로설계
5. 마스크제작
6. 산화
7. 감광액(PR:Photo Resist)도포
8. 노광
9. 현상(Development)
10. 식각(Etching)
11. 이온주입(Ion Implantation)
12. 화학기상증착(CVD)
13. 금속배선(Metallization)
14. 웨이퍼자동선별 (EDS TEST)
15.웨이퍼절단
16.칩 집착
17. 금속 연결
18. 성형(Molding)
19. 최종검사
20. 제품출하..

본문내용

1. 단결정 성장 방법

단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫번째 공정입니다. 고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정 성장로 속에서 단결정봉으로 변형됩니다. 고진공 상태에서 섭씨 1400도 이상의 고온에 녹은 폴리 실리콘은 정밀하게 조절되는 조건하에서 큰 직경을 가진 단결정봉으로 성장합니다. 이와 같은 성장과정이 끝나면, 단결정봉은 실내온도로 식혀지고 각각의 단결정봉이 여러 조건에 부합되는지를 평가하게 되고, 단결정봉은 부분별로 가공되어 정확한 직경을 갖게 됩니다.
1. Bridgeman method
: Crucible 이동 → 융액의 온도구배 제어 → 결정성장
: 양질의 대구경 단결정 성장에 유리

▲ Bridgeman법으로 성장된 Pb계열의 단결정 ▲ Bridgeman 법 계략도


2. Flux Method
: 융제를 이용하여 융점이하에서 성장하는 방법
▲Flux법으로성장된Pb계열단결정
고집적화에 따른 소자의 소형화는 기존의 공정 기술에 한계를 가져와 선택적 박막 증착법과 같은 새로은 공정 기술의 개발을 요구하고 있다.

참고 자료

http://www.semipark.co.kr/images/
http://arm73.hihome.com/major2_1.html
http://www.aaww.com/foundry/process.asp
http://www.semipark.co.kr/images/반도체장비/반도체%20입문/반도체%20기초이론/반도체이야기%201.htm
http://semicon.wonkwang.ac.kr/semi/sem_flow1.htm
http://www.antechnology.com/html/semicon/process_04.htm
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