[회로이론] 바이폴라트랜지스터의 기호

등록일 2003.04.14 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 500원

목차

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본문내용

바이폴라트랜지스터(BJT)의 기본구조는 두 개의 pn접합으로 분리되는 세 개의 도핑된 반도체 영역으로 구성된다. 이 세 영역을 이미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector)라 한다. 바이폴라트랜지스터의 두 가지 형태 중 하나는 p영역과 분리된 두 개의 n영역으로 구성(npn)되고 다른 하나는 n영역과 분린된 두 개의 p영역으로 구성(pnp)된다.
전압증폭기로서의 바이폴라트랜지스터
증폭은 전기적 신호의 증폭을 선형적으로 증가시키는 과정이며 트랜지스터의 중요한 특성 중 하나이다. 앞서 배웠듯이 트랜지스터는 전류이득을 나타낸다. 트랜지스터가 바이어스 되었을 때 BE접합은 순방향으로 인해 낮은 저항을 갖고, BC접합은 역방향으로 인해 높은 저항을 갖는다.
IB는 매우 적으므로 Ic는 대략 Ie와 같다. 실질적으로 Ic는 항상 Ie보다 약간 작다. 그러므로 근사적으로 다음과 같이 쓸 수 있다.
Ie Ic
이것을 염두에 두고, BE바이어스 전압과 직렬로 인가된 교류입력전압 Vin과 BC바이어스 전압에 직렬접속된 외부저항 Rcfh 구성된 (a)의 트래지스터를 고려해 보자. 직류전원이 이상적으로 교류전압에 단락된 것으로 나타나므로 교류등가회로는 그림(b)와 같다. 순방향바이어스된 베이스-이미터 접합은 교류신호에 대해 낮은 저항을 나타낸다. 이 내부 교류 이미터 저항을 re 그림 (b)의 교류이미터 전류는 다음과 같다.
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