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[신소재공학] 자기메모리 기술에 관하여

등록일 2003.03.23 한글 (hwp) | 18페이지 | 가격 1,000원

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목차

1. 서 론

2. 문제 제기
(1) 정보의 폭발과 Moore 법칙의 한계
(2) 왜 테라급나노소자 인가?
(3) Moore 법칙을 따르는 Breakthrough: 나노 MOSFET

3. 그 동안의 기술개발 동향
(1) Moore 법칙을 초월한 소자
(2) CNT(Carbon Nanotube) 소자
(3) SET(Single Electron Transistor)
(4) 분자소자

4. 새로운 신기술의 혁신
■ 스핀트로닉스(Spintronics)

5. 향후 전망

6. 응용분야
(1) FRAM ( 강유전체 메모리)
(2) Spintronics - GaN와 ZnO 박막을 이용한 DMS 개발 연구
(3) 플래쉬 메모리

본문내용

최근 자성체의 새로운 기술적 응용으로 급부상하고 있는 분야가 자기메모리 (MRAM : Magnetic Random Access Memories)기술분야다. 이는 스핀이 전자의 전달현상에 지대한 영향을 미치기 때문에 생기는 거대자기저항(GMR)현상이나 스핀편극 자기투과현상을 이용해 메모리 소자를 구현하려고 시도하는 것이다. 전자는 비자성층을 사이에 둔 두 자성층에서 스핀방향이 같은 경우보다 다른 경우의 저항이 크게 다른 현상을 이용해 GMR 자기메모리 소자를 구현하려는 것이다. 후자는 절연층을 사이에 둔 두 자성층에서 스핀 방향이 같은 경우가 다른 경우보다 전류의 투과가 훨씬 잘 일어난다는 현상을 이용
(중생략)
-분자소자
현재의 고체전자소자(Si 등)의 미세가공기술로 사용하고 있는 광리소그라피(Optical Lithography) 기술은 빛의 파장 한계 때문에 나노영역에는 제한적으로 밖에 사용할 수 없게 된다(미세가공기술의 한계). 고체전자소자(Si 등)의 미세가공기술의 한계를 극복하는 기술로 분자소자기술이 주목받고 있는 이유는: 첫째 보통 커다란 분자조차 수 nm의 크기이고, 둘째 분자단위로 자기조립(Self-assembly)하여 미세구조 형성이 가능하기 때문이다.
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