[트랜지스터] 트랜지스터

등록일 2003.03.19 한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 900원

소개글

[트랜지스터] 트랜지스터

목차

◦ 트랜지스터 전압-전류 특성
◦ 바이어스 되지 않은 트랜지스터(unbiased transistor)
◦ 순방향-역방향 바이어스
◦ TRANSISTOR의 여러 바이어스

본문내용

◦ 트랜지스터 전압-전류 특성
그림5-1은 npn 결정체를 나타내는 것으로서, 에미터는 강하게 도핑되어 있고 에니터의 역할은 베이스쪽으로 전자를 방출시키거나 투입시키는 것이다. 베이스는 약하게 도핑되어 있으며 대단히 얇다. 베이스는 에미터가 방출한 전자를 콜렉터로 통과시킨다. 콜렉터의 도핑 레벨은 에미터의 도핑 레벨과 베이스의 도핑 레벨과의 중간정도이며 콜렉터는 베이스로부터 전자를 모으기 때문에 그 이름이 붙여진 것이다. 콜렉터는 이 세 영역 중에서 가장 큰 영역을 가지므로 에미터나 베이스보다 더 많은 열을 방출한다.


◦ 바이어스 되지 않은 트랜지스터(unbiased transistor)
접촉면을 통과하는 자유전자의 확산은 두 개의 공핍층을 만든다. 이 공핍층 각각에 대하여 전위장벽(barrier potential)은 실리콘 다이오드에 대해서는 25℃에서 0.7V와 같다(게르마늄 0.3V) 실리콘 트랜지스터는 전압 및 전류정격(rating)이 높고 온도에 대해서 덜 민감하다.

이 세영역이 서로 다른 도핑 레벨을 가지므로 그 공핍층들은 같은 폭을 갖지 않는다. 영역을 더 강하게 도핑 할 수록 접합면 근처의 이온의 집중은 더욱 더 커진다. 이것은 공핍층이 강하게 도핑된 에미터쪽으로 얇게 침투하지만, 얇게 도핑된 베이스쪽으로는 깊게 침투함을 의미한다. 나머지 공핍층은 베이스쪽으로는 잘 확산되고 적은 양이 콜렉터 영역으로 침투한다. 그림 5-2(b)는 이 개념을 요약한 그림이다. 에미터 공핍층은 좁고 콜렉터 공핍층은 넓다.
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