[5주차] Transistor의 DC 바이어스 및 동작모드 실험 결과레포트

목차

1. Experiment Results
2. Conclusion

본문내용

V_BE < 0.7V일때는 Cut-off 모드라고 알고 있지만 실제 실험에서는 V_BE가 0.7을 넘지 못했다. 실험 그래프 모형을 관찰한 결과 3V부터 평평한 Active영역이 나타났다. 시뮬레이션 상에서는 V_DC가 약 2V 이하에서 Cut-off 모드였지만 실험값은 약 3V에서 전류가 흐르기 시작했으며 그 이상부터 구간에서는 Active 모드가 나타났다. beta값은 시뮬레이션 결과보다 더 급격한 증가율을 보였으며 V_DC가 3V일 때 207에 도달하였으며 alpha값 또한 가파른 증가를 나타내었다. 이는 실제 실험 데이터의 기울기가 상대적으로 시뮬레이션 결과에 비해 가파르고 수식 계산을 통한 값 산출로 인한 오차 때문이지 않을까 생각한다.

<중 략>

MOSFET의 바이어스 회로로 MOSFET M1, M2 두 개를 직렬로 연결하여 각 한단을 공유하는 트랜지스터의 각 동작영역을 파악하고, 각 트랜지스터의 동작영역과 단을 연결한 것의 특징을 알아보았다. 회로에서 각 단을 공유하고 전압이 동일하게 전해지기 때문에 동일하게 동작영역이 결정됨을 볼 수 있다.

참고 자료

없음