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Electronic Devices_Floyd_7th_Ch4

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최초 등록일
2013.10.17
최종 저작일
2013.10
9페이지/파일확장자 어도비 PDF
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목차

Section 4-1 Transistor Structure
Section 4-2 Basic Transistor Operation
Section 4-3 Transistor Characteristics and Parameters
Section 4-4 The Transistor as an Amplifier
Section 4-5 The Transistor as a Switch
Section 4-6 Transistor Packages and Terminal Identification
Section 4- 7 Troubleshooting
System Application Problems
Data Sheet Problems
Advanced Problems
Multisim Troubleshooting Problems

본문내용

Section 4-1 Transistor Structure
1. Majority carriers in the base region of an npn transistor are holes.
2. Because of the narrow base region, the minority carriers invading the base region find a
limited number of partners for recombination and, therefore, move across the junction into
the collector region rather than out of the base lead.
Section 4-2 Basic Transistor Operation
3. The base is narrow and lightly doped so that a small recombination (base) current is
generated compared to the collector current.

<중략>

49. Collector-emitter shorted
50. Collector-emitter open
51. RE leaky
52. Collector-emitter shorted
53. RB open
54. Rc open

참고 자료

없음
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