[반도체] 반도체 소자의 특성

등록일 2003.02.10 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 500원

목차

1.다이오드
2.트랜지스터
3.SCR
4.단접합 TR
5.TRIAC
6.DIAC
7.PUT
8.MOSFET

본문내용

1. 다이오드(DIODE)
P형반도체와 N형반도체를 서로 접합한 것.온오프제어 불가.단반향전압저지 단방향 전류
PN접합과 정류작용
① 전압을 가하지 않았을 때 : P형과 N형의 접합면에 정공과 전자의 이동이 일어나 접합면에는 N형에는 양전하(+), P형에 음전하(-)가 축적된 상태
- 공핍층(Depletion layer) : 어떤 전도전자나 정공도 존재하지 않는 PN접합면의 이온층으로 전위장벽을 형성 ( Si=약0.7[V], Ge=약0.3[V] 정도 ) : N형에 (-)이온, P형에 (+)이온
② 역방향전압을 가했을 때 : P형에 (-), N형에 (+)전압을 가한상태
-. 내부전기장은 더욱 강해지고 전자나 정공의 이동은 일어나지 않는다.
③ 순방향 전압을 가했을 때 : P형에 (+), N형에 (-)전압을 가한 상태.
-. 내부전기장이 약해져 전자와 정공의 이동이 쉬워진다.
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