[반도체] 실리콘 카바이드(SiC)의 IC 응용

등록일 2003.01.16 한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 500원

목차

1. Abstracts
2. SiC IC 연구목적과 현황
3. SiC 특성
4. SiC 응용

본문내용

실리콘 기판의 대체로 실리콘 카바이드를 사용하기 위한 제1차 단계로 단결정 성장의 기술이 필수적이다. 이에 따라 일본전력중앙연구소는 고전압 대용량의 차세대 파워 반도체 재료로서 기대되는 실리콘 카바이트(SiC) 단결정 기판의 표면처리기술을 개발하고 그 평가기술 확립에 성공했다. SiC계 반도체 소자는 실리콘(Si)계에 비해 허용전계 강도가 10배, 동작온도가 4배나 높은 것으로, 대전력 고온에서의 동작이 가능하다. 전력계통의 수송변환장치로 이용한다면 송전 로스가 1/3로 낮아져서 에너지 절약효과가 크다. 또한 전기자동차나 통신 등에의 응용도 기대되고 있다. 일본 전력중앙연구소에서는 앞으로 SiC 결정의 후막화나 대구경화에 착수, 2003년 이후에 디바이스에 응용하도록 이행해 나갈 계획이다. 통산성 공업기술원도 초저손실 전력소자로서 SiC계 소자의 개발에 적극적인 자세를 보이고 있어, 내셔널 프로젝트로서 5년 계획으로 실시할 예정이다. 첫 해에 3억 2,000만엔을 98년도 예산요구에 포함시키고 있다.

참고 자료

1. 일본 日刊工業新聞 : 1997년 10월 02일
2. http://www.aip.org/enews/
3. New Scientist, '97년 6월 14일
4. http://www.sterling-semiconductor.com/indexf.html
5. http://www.newswise.com/articles/SILICON.MSS.html/
6. http://investgate.kait.or.kr/home2/frame3/invest/tech/2-t-etri20.htm
7. http://www.mickey.chungbuk.ac.kr
8. http://ecn.purdue.edu
9. http://www.cree.com
10. 반도체 디바이스
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