[반도체]열CVD 와 플라즈마CVD

등록일 2003.01.10 한글 (hwp) | 35페이지 | 가격 4,000원

소개글

절대 비싼것이 아닙니다..받아보시면 후회 안하실것입니다.
CVD의일반적 설명과 열.플라즈마 CVD의 장치같은 것이 아닌 원리를 그래프와 자세한 설명으로 풀이하였고..추가 열CVD의 보안까지..그리고 정확한 참고문헌...참조하십시요

목차

CVD의 정의와 분류
CVD공정의 목표와 선택
열CVD장치의 형태와 특징
플라즈마 CVD반응장치
열CVD의 단점 보안
향후의 전망
참고문헌

본문내용

CVD는 Chemical Vapor Deposition의 약칭이며 기체원료로부터 화학반응을 거쳐 박막이나 입자 등의 고체재료를 합성하는 공정으로. 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100~200 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선 광에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. 같은 목적의 재료공정으로 증발법(evaporation)이 있다. 증발법은 고체를 열적으로 증발시켜 증착하고자 하는 물질 위에 막을 형성하거나 또는 공간에서 미립자를 발생시킨다. 고체의 증발은 전기적 가열 이외에 전자선(electron beam)이나 레이저 등이 쓰이는 경우도 있다. 이 경우 전체가 물리적 공정이므로 이러한 공정들은 PVD(Physical Vapor Deposition)라고 하여 CVD공정과 구분하고 있다. CVD는 일렉트로닉스 디바이스 분야에서 자주 이용되고 있으며 각종 코팅이나 재료 형성에도 쓰이고 있는 실용 기술이다. 그러나 이외 잠재적 가능성 면에서 보면 아직도 발전 중에 있는 기술이며 아직 해명되지 않은 부분도 많다.
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