[반도체] defect inspection

등록일 2002.12.26 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,000원

목차

1.introduction
2. 웨이퍼에서의 결함의 실제적인 분류와 결함의 광학적 관찰 방법
3. 웨이퍼의 부착물의 laser scattering
4. 부착물 관찰의 개선
5. 미시적 거침정도의 관찰
6. laser scattering에 의한 결정 결함의 관찰
7. 결론

본문내용

<Defect inspection of wafer by laser scattering - Katsumi Takami>
이 논문은 결함 관찰방법과 elastic light scattering을 사용하여 반도체 wafer를 평가하는 기구들을 개관한다. 이 논제의 초점은 앞으로 소개되는 기구들의 특징: 부착물의 최소 관찰 크기,관찰량,미시적거침정도의 관찰력, 체적과 subsurface에서의 결정 결함의 관찰력, laser surface scanner, scatterometer, infrared tomography system의 관찰 메카니즘을 분석하여, 결함 관찰을 위한 elastic light scttering의 독특한 능력을 보였다.
1. Introduction
wafer 결정의 표면, subsurface,체적 결함의 관찰은 화합물 반도체의 항복 개선 노려과 실리콘 웨이퍼 생산에 중요한 역할을 한다. 다바이스 생산의 관점에서 표면 부착물은 항상 중요하다.
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