전자회로 pn 다이오드 + ispice 연습문제 결과 electronic devices and circuit

목차

1. P형 반도체와 N형 반도체, PN접합.
2. 다이오드란?
3. 기본 다이오드 동작

본문내용

전자회로 pn다이오드
P형 반도체와 N형 반도체, PN접합.
P형 반도체 : 정공(전자가 빠진 자리)이 전자보다 많은 반도체
N형 반도체 : 정공보다 전자가 더 많은 반도체
* P형, N형 반도체는 반도체에 첨가하는 불순물의 종류에 따라
마음대로 만들 수 있고, 그 불순물의 양에 따라 전자나 전공의 개수를
조절할 수 있다.
PN접합 : P형 반도체와 N형 반도체가 접합하면 접합면을 기준으로
확산이 일어나 전자와 정공 쌍이 사라지고 이온들만 남게된다.
따라서, 그 이온들만 남은 곳으로 전자와 정공의 이동이 없는
공간 공핍층이 형성된다. 여기서는 양이온 음이온으로
전위차가 생겨 전위장벽을 형성하게 된다.

<중 략>

Sol)
1. 전압이 일정 수준 이상이 될 경우 전류가 급격히 흐르기 시작함.
2. 전류가 흐르기 시작하는 순간의 전압은 동일함.
3. 저항이 증가할수록 그래프의 기울기가 낮아짐을 알 수 있음.
* 전류가 저항에 반비례함으로 V=IR(옴의법칙)이 성립함을 알 수 있음.

문제 2) 그림 3-3의 회로의 시뮬레이션 조건을 조정해서 역방향 특성을 측정하시오. IN4001의 역방향 breakdown 전압이 얼마인지 측정하시오.

참고 자료

없음