[전기공학실험3] [ARM7] 결과7 (데이터압축)

등록일 2002.12.25 MS 워드 (doc) | 28페이지 | 가격 700원

소개글

전기공학실험3 (ARM7 코어 프로그래밍)
서울대학교 전기공학부
성원용 교수님 강좌
2002년 2학기

정답이 아닐 수 있으니 참고만 하세요.

목차

1. 실험 결과 보고를 시작하며
2. 모든 실험에 공통으로 사용되는 코드 분석
(1) “44b.h” 파일의 LCD 관련 레지스터 전처리기 부분
(2) “view.c” 파일
3. [exp7_1] RAW 포멧의 그림 1,2,3을 1초 간격으로 번갈아 디스플레이 하는 프로그램 (교재의 요구사항 1번)
4. [exp7_2] LZW 포멧의 그림 1,2,3을 1초 간격으로 번갈아 디스플레이
5. [exp7_3] LZW포멧의 그림 lzw1.spi와 1과 2를 XOR하여 LZW포멧으로 압축한 1xor2.spi 그리고, 2와 3을 XOR하여 LZW압축한 2xor3.spi 파일을 이용하여 그림 1,2,3을 1초 간격으로 디스플레이 (교재의 요구사항 4번)
6. 참고 문헌

본문내용

rLCDSADDR1 = ( 0x2 << 27 ) | ( ((unsigned int)buffer >> 22 ) << 21 ) | M5D((unsigned)buffer >> 1 );
// LCDSADDR1 Register에 속한 bit들을 setting하는 것으로, 삼성 매뉴얼 12-18쪽을 참조하였음.
// ( 0x2 << 27 ): MODELSEL[28:27]=”10”=16-level gray mode
// ( ((unsigned int)buffer >> 22 ) << 21 ): buffer는 unsigned char에 대한 포인터이므로 buffer라고 쓰면
// 데이터가 저장된 주소의 시작 부분을 나타낸다. LCDBANK[26:21]은 system memory의 video buffer 위치를 나타낸다.
// system memory의 주소는 28bit로 되어 있으므로, LCDBANK[26:21]의 6 bit에 맞게 상위 6 bit만을 발췌해야 한다.
// 그래서 buffer의 원래 주소에서 하위 22bit를 삭제하고, 상위 6 bit만을 LCDBANK[26:21]에 삽입한다.
// 처음에 이 과정이 잘 이해가 가지 않아서 집에서 실험을 다시 해 보면서 주소를 “watch expressions”로 trace해 보았다.
// 그 실험에서 화면을 캡춰하여 뒤에 첨부하였으며, 여기서 system memory의 주소가 28bit라는 사실과,
// 그 주소의 상위 6 bit만을 가지고 실험을 성공적으로 할 수 있다는 사실을 확인할 수 있었다.
// M5D((unsigned)buffer >> 1)에서 M5D( n )=(( n ) & 0x1fffff )이므로, buffer의 주소의 하위 1bit를 삭제한
// 27 bit의 주소에 0x1fffff=01..1(연속한 1의 개수는 1+5*4=21개)를 AND 연산하여 최하위 1 bit를 제외한
// 하위 21 bit의 주소를 다시 얻을 수 있다. 이것을 LCDBASEU[20:0]에 저장한다.
// 이러한 과정이 있기 때문에 앞에서 상위 6 bit만을 LCDBANK에 넣어도 buffer의 주소를 프로세서가 잘 찾을 수 있는 것이다.

참고 자료

서울대학교 전기공학부, <3학년 실험>
서울대학교 전기공학부, <3학년 실험 매뉴얼>
Hennessy/Patterson , <Computer Organization and Design : the Hardware/Software Interface>
http://soee.net/
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • [전기공학실험3] 예비1(고차능동필터) 10 페이지
    Chebyshev filter의 전달함수는 아래와 같다 (Sedra/Smith 교재 897쪽). , for , for (N은 필터의 차수, 는 주파수, 는 passband edge, 는 passband ..
  • [전기공학실험3] 예비3 - LCD 제어 20 페이지
    #define CLKVAL_MONO (13)//60Mhz,CLKVAL=19 ->78.6Hz #define CLKVAL_G4 (9)//40Mhz,CLKVAL=9 ->110Hz #define CLKVAL_G16 (10)//40..
  • [전기공학실험3/ARM7] 예비5 - NAND 플래쉬 메모리 11 페이지
    Row 방향과 column 방향으로 각각 64bit=8byte씩의 parity를 생성한다. 실험 교재에 parity 생성의 scheme이 있으므로 그것에 따르면 아래와 같다. - Row parity p_parity[0]=p..
  • [전기공학실험3/ARM7] 결과1 - 고차능동필터 13 페이지
    1. 목적 능동 필터는 증폭회로에서 가장 많이 쓰이는 필터이다. 실제의 응용에 이용되는 필터는 고차 필터가 유리하며, 고차 필터는 1차 또는 2차 필터를 연결하여 구현할 수 있다. 본 실험에서는 5차 저주파 통과 필터를 구성..
  • [전기공학실험3/ARM7] 결과5 - NAND플래쉬메모리 29 페이지
    1. 실험 결과 보고를 시작하며 (1) 실험 후기 먼저, 보고서가 세로가 아니라 가로로 놓인 종이에 쓰이게 된 것은, 뒤에 나올 소스 코드의 주석의 길이를 고려한 것임을 밝힌다. 우리도 처음에는 종이를 세로로 놓고 보고서..
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      최근 본 자료더보기