[응용실험] N+P 다이오드 제작

등록일 2002.12.22 한글 (hwp) | 13페이지 | 가격 1,300원

목차

실험 방법 과 절차
- 실험 절차
3 Zone tube Furnace
Thermal Evaporator
I - V 측정
C - V 측정
Gate 지름 측정
실험 결과
N+P 다이오드 제작
1. 목 적
2. 관련지식
확산형 접합
pn 접합의 평형상태
접촉 전위차
I-V 특성
- 확산전류
- 표동전류

본문내용

확산형 접합

양산의 입장에서 볼 때 pn 접합을 형성시키는 가장 보편적인 기법은 불순물 확산공정이다. 접합부의 기하학적 구조를 제어하기 위하여 선택적 마스크를 함께 쓰는 이 방법은 집적회로의 형식으로 광범위한 여러 가지 소자를 이용할 수 있게 해주고 있다. 선택적 확산은 그의 제어성, 정확성 및 융통성에 있어 인상적인 기법이다.
고체로의 불순물 확산은 기본적으로 과잉캐리어에 대한 것이다. 각각의 경우 확산은 불교칙한 운동의 결과이며, 입자는 농도 경사도가 감소되는 방향으로 확산한다. 물론 고체 속에서의 불순물 원자의 불규칙한 운동은 온도가 높지 않으면 다소 제한된다. 따라서, Si과 같은 반도체로의 도핑의 확산은 1000 근처의 온도에서 이루어진다. 이들 온도에서는 반도체의 많은 원자가 그들의 격자 위치로부터 이동해 나와 불순물 원자가 이동해 들어갈 빈 자리를 남겨 놓게 된다.
대부분의 일반적인 도핑은 이와 같은 형태의 빈자리의 이동으로써 확산되며, 냉각 후에는 그 결정의 격자위치를 점유한다.
n형 Si웨이퍼를 고농도의 붕소를 함유하는 기상분위기 속에서 1000 로 노속에 놓으면 시료 표면에서 급준한 불순물의 농도 경사도가 생긴다.
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • [예비,결과]제너 다이오드 3 페이지
    1. 실험목적 다이오드의 역방향 특성을 이용하는 제너 다이오드에 대한 전기적 특성과 이의 응용에 대해 알아본다. 2. 관련이론 가. 제너다이오드 역바이어스 전압이 어느값 이상이 되면 절연파괴 현상이..
  • 반도체의 전기적 특성 3 페이지
    반도체는 문자 그대로 도체와 부도체의 중간쯤에 위치한 전기적 특성을 갖는 물질로서, 이러한 특징은 가전자대와 전도대 사이의 에너지 차이 의 크고 작음에 의해 결정된다. 만약 순수한 반도체에 불순물을 섞는다면, 이러한 상황..
  • [전기전자공학] 다이오드의 특성 7 페이지
    ⊙ 다이오드의 개요 다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 반도체란 원래 이러한 성질을 가지고 있기 때문에 반도체라 부르는 것이다. 트랜지스터도 반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 ..
  • 반도체 10 페이지
    半導體 semiconductor 전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들. 이러한 물질들을 화학적으로 처리함으로써 전류를 흐르게 할 수도 있고 전류의 흐름을 조절할 수도 있기 때문에 다이오드·트랜지스터·집적..
  • 전자공학실험1 - Diode 기본 소자 실험 30 페이지
    1. Diode 개요 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시키고 P형 반도체와 N형 반도체 끝에 각각 금속전극을 붙인 것을 P-N 접합 다이오드(P-N jungtion diode)라고 하는데 실제에 있어서는 Si이나 Ge 등과..
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      최근 본 자료더보기