[응용실험] N+P 다이오드 제작

등록일 2002.12.22 한글 (hwp) | 13페이지 | 가격 1,300원

목차

실험 방법 과 절차
- 실험 절차
3 Zone tube Furnace
Thermal Evaporator
I - V 측정
C - V 측정
Gate 지름 측정
실험 결과
N+P 다이오드 제작
1. 목 적
2. 관련지식
확산형 접합
pn 접합의 평형상태
접촉 전위차
I-V 특성
- 확산전류
- 표동전류

본문내용

확산형 접합

양산의 입장에서 볼 때 pn 접합을 형성시키는 가장 보편적인 기법은 불순물 확산공정이다. 접합부의 기하학적 구조를 제어하기 위하여 선택적 마스크를 함께 쓰는 이 방법은 집적회로의 형식으로 광범위한 여러 가지 소자를 이용할 수 있게 해주고 있다. 선택적 확산은 그의 제어성, 정확성 및 융통성에 있어 인상적인 기법이다.
고체로의 불순물 확산은 기본적으로 과잉캐리어에 대한 것이다. 각각의 경우 확산은 불교칙한 운동의 결과이며, 입자는 농도 경사도가 감소되는 방향으로 확산한다. 물론 고체 속에서의 불순물 원자의 불규칙한 운동은 온도가 높지 않으면 다소 제한된다. 따라서, Si과 같은 반도체로의 도핑의 확산은 1000 근처의 온도에서 이루어진다. 이들 온도에서는 반도체의 많은 원자가 그들의 격자 위치로부터 이동해 나와 불순물 원자가 이동해 들어갈 빈 자리를 남겨 놓게 된다.
대부분의 일반적인 도핑은 이와 같은 형태의 빈자리의 이동으로써 확산되며, 냉각 후에는 그 결정의 격자위치를 점유한다.
n형 Si웨이퍼를 고농도의 붕소를 함유하는 기상분위기 속에서 1000 로 노속에 놓으면 시료 표면에서 급준한 불순물의 농도 경사도가 생긴다.
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