반도체 브리지(Semiconductor Bridge)

목차

1. 기술의 개요
가. 기술의 정의
나. 기술의 중요성 및 필요성
다. 연구개발 최종 목표

2. 기술현황 및 전망
가. 국내
나. 국외
다. 기술수준 비교 및 협력 가능성

3. 연구개발계획
가. 연구개발 목표
나. 연구개발 내용

4. 적용 및 기대효과
가. 적용
나. 기대효과

5. 연구개발 결과 제시물
가. 응용연구
나. 시험개발

본문내용

가. 기술의 정의

반도체 브리지(SCB)에 일정한 전류가 가해졌을 때 발생되는 플라즈마를 이용해 현재 사용하고 있는 금속선(W)보다 안전하고 빠른 점화를 확보할 수 있는 기술임

나. 기술의 중요성 및 필요성

현대 첨단 병기는 점차 고가화, 복잡화 함에 따라 더욱더 안전성이 강조되고 있고, 특히 점화부품들은 단 1회 작동 부품으로 신뢰성 및 안정성 확보가 긴요하나 현재 사용하고 있는 금속(W) Hot Bridgewire Initiator(HWI)는 실용적이기는 하나 고주파, 정전기, 표류전압 등에 민감하여 우발점화의 가능성이 있어 안전에 대한 별도의 대책이 필요로 하고 있고, 또한 작동 시간도 수 msec. 걸리므로 저에너지 펄스(<5 mJ)와 아주 짧은 시간(<20 μsec)에 작동할 수 있는 장점을 지닌 반도체 브리지(SCB) 개발이 필요로 함.

참고 자료

없음