DRY ETCHING

목차

Dry Etch란?
플라즈마 ETCH의 반응 원리
건식 식각의 분류
PLASMA의 이해
건식 식각의 활용 방법
PLASMA를 이용한 건식 식각의 용도
식각률(Etch Rate)
균일성(Uniformity)
폴리머의 구성
플라즈마 유도손상(Plasma-Induced Damage)
입자 오염 (Particle Contamination)
RIE
MERIE
TCP & ICP
건식 식각이 공정에 미치는 요인
RADICAL
DRY ETCH 장비 종류
용어 정리

본문내용

Dry Etch 란?

건식 식각 반도체나 LCD 제조공정 중 회로패턴
을 형성시켜 주기 위해 필요 없는 부분을 선택
적으로 제거시키는 공정으로, 용액성 화학물
질을 사용하지 않고 활성화된 가스(Plasma)를
이용하여 식각하는 방법

DrY EtCH 란?
장점 : 비등방성 식각가능, 측면 침식이 거의 없음, 식각가공 resolution이 좋음, Gas 사용으로 습식식각에 비해 상대적으로 깨끗하고 안전
단점 :물리적 충돌에 의한 식각도 일어나므로 완벽하게 특정 물질의 선택적 식각이 어려움

건식 식각의 분류
Sputter Etching : 플라즈마 내의 이온을 가속시켜 물리적으로 식각
Reactive Radical Etching : 피식각체와 화학적으로 반응성이 있는 가스를 사용하여 플라즈마 발생 -> 플라즈마 내의 반응성 라디칼을 사용하여 화학적으로 식각
Reactive Ion Etching(RIE) : 물리적인 방법과 화학적인 방법을 동시에 사용

<중 략>

압력(Pressure) : 반도체 제조장비의 대부분이 대기압(Atmosphere)보다 훨씬 낮은 저압력(Low Pressure)에서 이루어진다. 그 이유는 Etch용 혹은 증착용으로 특정한 Gas를 사용하여 반응을 일으킴으로 대기 상태일 때의 다른 불필요한 기체들이 존재하면 안된다. 그래서 가공공간인 Chamber 내부는 될 수 있으면 고진공(High Vacuum)상태를 필요로 함
고주파 전력 장치(R.F Generator) : Plasma를 발생시키기 위한 전력 공급원으로 고주파수의 교류 전력이 쓰인다. R.F란 Radio Frequency의 약어로 고주파를 의미한다. 주파수는 13.56MHz 사용하며 전력의 단위는 와트(W) 이 사용 주파수에 대해 Chamber로 인가되는 전력이 손실분 없이 최대로 전달되게 하기 위해 R.F Generator와 Chamber사이에 정합기(R.F Matching System)이 달림

참고 자료

없음