[물리학] 이온주입공정

등록일 2002.12.19 한글 (hwp) | 25페이지 | 가격 1,000원

소개글

졸업논문입니다,,많이들 참조하세요

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이론적 배경
Ⅲ. 플라즈마 이온 주입
( Plasma Source Ion Implantation )
Ⅳ. 결론

본문내용

이온주입(Ion Implantation) 기술은 임의의 원소를 이온화하여 빔(beam)을 형성한 후 고에너지로 가속하여 각종 소재에 이온을 주입함으로써 소재 표면의 화학적 조성, 결정구조, 조직 등을 변형시켜 소재 표면의 물리적, 화학적, 기계적 성질을 조절하는 표면개질(surface modification)기술이다.
고분자 재료는 성형과 가공이 쉽고 생산비용이 저렴한 장점이 있으므로 산업 및 생활 여러 분야에 이용되고 있다. 그러나 금속에 비해 경도, 조도, 내마모등의 기계적인 성질이 약하고 전기적으로 전도성이 거의 없는 절연체의 성질을 가지고 있어 응용분야가 한정되어 있다. 고분자의 우수한 특성을 유지하면서도 금속과 같이 강하며, 전기성을 띠는 성질로 변화시키는 연구중의 한 방법으로 이온 주입이 80년대 이후로 활발히 진행되고 있다.
고분자에 이온을 주입하면 분자구조와 조성이 변하여 경도, 내마모도, 내피로 도, 조도 등의 기계적인 특성과 전기적 특성인 표면 전기전도도가 향상되고 광학밀도가 증가하여 광학적 특성이 변한다. 특히 이러한 특징중에서 이온을 주입하여 전기전도도를 향상시켜 전도성을 띠게하는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이것은 자기 디스크, 온도 및 습도 센서, 반도체 재료, 진공 게이지 등에 응용가능하며, 광학적 특성변화는 렌즈, 고분자 광섬유, 고아디스크 기판 등으로 광학제품에 사용될 수 있다. 현재 이중 일부는 현재 상용화 되어있다.
본 논문에서는 이온주입공정의 이론배경에 대해 설명하고 이온주입의 실용화를 위해 IBII(Ion Beam Ion Implantation, 이하 IBII)의 문제점을 보완한 PSII(Plasma Source Ion Implantation, 이하 PSII)의 원리와 산업적 응용전망에 대해 어떻게 이루어 질것인지에 대해 다루었다

참고 자료

1. (교재) 황호정저, 반도체 공정기술, 생능출판사, (1999)
2. (석사 논문)이온 주입된 고분자에서 전기적 특성과 광학적 특성간의
상관관계에 관한 연구 - 임 석 진 (2000) 한양대
3. (교재) 이종덕저, 실리콘 집적회로 공정기술, 2차 개정판, 대영사(大英社),(1991)
4. (web site)http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/index.html
4. (web site)http://aerosol.che.cau.ac.kr/ftp_up/kykim/ii1.htm
5. (연구 논문) Plasma Source Ion Implantation -전중환
(포항산업과학연구원(RIST) 재료공정연구센터)
http://icomm.re.kr/~esbyon/work/PSII.htm
6. (web site)http://www.ajou.ac.kr/~plasma/research/large.htm
7. (web site)http://home.mokwon.ac.kr/~chang/lesson1.htm
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