[회로설계] CMOS 회로설계

등록일 2002.12.10 한글 (hwp) | 18페이지 | 가격 2,000원

소개글

많은 도움이 되었으면 합니다.

목차

Ⅰ. CMOS 집적회로
Ⅱ. 동작원리의 차이
Ⅲ. 디지털 회로 설계(개요)
Ⅳ. CMOS 논리-게이트 회로
Ⅴ. 2-입력 NAND 게이트
Ⅵ. DC Characteristics of the NOR gate
Ⅶ. LAYOUT of the NOR and NAND GATEs
Ⅷ. Complex CMOS Logic Gates
Ⅸ. Exclusive-OR 함수
Ⅹ. FULL ADDER (전가산기)
XI. Differential Spilt-Level Logic

본문내용

Ⅱ.동작원리의 차이
트랜지스터는 MOSFET 와 바이폴라 트랜지스터로 나눠진다.
ⅰ) MOSFET
소자에 흐르는 전류의 성분이 정공이냐 전자냐에 따라 pMOS와 nMOS pMOS 소자전류의 구성 성분이 정공인데 정공의 이동속도가 전자의 이동속도보다 절반이하로 늦기 때문에 사용하지 않는다. nMOS는 pMOS보다 고속으로 동작이 가능, 레이아웃의 작성도 간단, 고 집적화 가능. 그러나 항상 전류가 흐르고 있는 트랜지스터를 상당한 비율로 만들어 둘 필요가 있으며 고소비전력과 발열에 따른 VLSI회로의 신뢰성에 문제가 있다.
면적을 적게 차지, 제작이 쉽다 ,소비전력이 낮다, 고집적화
ⅱ) 바이폴라 소자(TTL)
집적도가 MOSFET보다 상대적으로 낮으며 소비전력도 크고 설계법이 복잡하여 제한된 분야에서만 응용.
ⅲ) CMOS
nMOS회로의 발열원이 되는 부분에 pMOS 트랜지스터를 만들어서 소비전력을 현저하게 줄일수 있다. 전지로도 동작이 가능하며 열파괴의 걱정도 없다. 전압의 변동이 있더라도 출력해야 하는 논리값이 틀릴 확률이 거의 없다.
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