[반도체공학] 반도체 일반공정

목차

1. 쵸크랄스키(Czochralski)법
2. Si 반도체에 관하여
3. 여러 가지 소자에 관한 이야기
4. Lithography
5. RAM이 데이타를 저장하는 원리
6. 실리콘-게르마늄 반도체의 차이점
7. 반도체는 전기를 어떻게 전도하느냐
8. 반도체 관련 용어들 (PKG)?
9. 이방성 에칭(식각)
10. 반도체 공정에 대하여
11. 반도체란? 그 특성은?
12. Plasma Shield
13. 산화막의 두께
14. Hall Effect
15. Oxidation
16. 반도체를 쓰는 이유
17. UBM이란?
18. 트랜지스터의 원리
19. p-n접합 반도체에 관하여
20. Epitaxy
21. 일함수에 대하여
22. 분석기술에 대해
23. MOS에 대해
24. 홀 효과와 페르미 준위
25. 홀과 전자의 이동도
26. Direct 반도체와 Indirect 반도체
27. Bulk
28. 전도도와 이동도
29. E-K도표, 전도대와 가전자대에서의 전자와 정공분포, 양자상태밀도
30. Carrier란?
31. 유효질량
32. 징크 블렌드 구조

본문내용

1. 쵸크랄스키(Czochralski)법
반도체에 만드는데 사용되는 웨이퍼를 만들기 위해서는 단결정 덩어리를 만들어야 하는데 이 덩어리를 인고트(ingot)라고 하죠. 그럼 어떻게 순수한 실리콘(Si)으로 된 단결정을 만들까요. 가장 많이 쓰이는 방법으로는 쵸크랄스키법으로 아주 작은 단위구조의 결정구조를 갖는 조각(씨앗;Seed)을 실리콘이 녹아있는 용액에 담갔다가 천천히 돌리며 끌어 올리는데 이때 씨앗의 결정구조와 똑같은 방향으로 원자가 결합하게 되고 천천히 식어 결정을 이루게 되죠. 이러한 방법을 쵸크랄스키 법이라고 하는데요 다음페이지에서 함 살펴보겠습니다. 웨이퍼를 만들때면 아주 순수한 결정의 실리콘(Si)를 얻어야 하죠. CZ(쵸크랄스키법)은 우선 실리카를 탄소도가니에 넣고 전기를 이용해 가열해서 녹이죠.. 그러면 실리콘을 얻을 수 있는데 아직은 깨끗하지가 못합니다. 탄소 도가니를 사용하는 이유는 로 부터 산소(O)를 떼어내기 위해서 사용되죠.. 그 다음엔 이 실리콘을 염화시켜서 SiCl₄, SiHCl₃로 만들어줘요..이 물질들은 액체상태인데 이렇게 액체로 만들어 주는 것은 고체를 순수한 결정으로 만드는 것이 매우 여렵기 때문이랍니다. 그래서 대부분의 순수한 결정을 만드는 작업에서 액체상태로 만드는 공정을 선호하죠. 매우 순수한 SiCl₄, SiHCl₃는 복합적인 화학 정제 과정을 거쳐서 이루어지는데 마지막으로 SiCl₄, SiHCl₃를 수소분위기에서 가열해 줍니다.

참고 자료

없음