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photo detector

*덕*
최초 등록일
2012.12.06
최종 저작일
2012.11
13페이지/한글파일 한컴오피스
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소개글

photo detector 실험 결과 report입니다.

목차

1. 실험이론
2. 실험 기구 및 재료
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 결론 및 검토
6. 질문 및 토의
7. 참고문헌

본문내용

·수광 소자
광트랜지스터(phototransistor): 게르마늄이나 실리콘 결정에 빛이 조사되면 그것으로 인하여 양공이나 전자가 결정 내에 발생하므로 빛의 입사는 이미터와 같은 역할을 하게 된다. 따라서 광전다이오드(photo diode)는 pn 접합면 가까이 또는 점접촉형에서는 접촉점 가까이에 빛을 조사시키고 있다.
이들은 원리로 보아서는 pnp 트랜지스터나 점접촉형 트랜지스터에 상당하는 것이며, 단지 빛의 에너지를 전기에너지로 변환하는 것뿐만 아니고 변환된 에너지를 트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하게 된다.

<중 략>

이번 실험은 발광다이오드와 수광 트렌지스터를 이용하여 photo detector를 제작해보고, 그 특성을 이해하는 것이었다. 우리가 수행한 실험에서는 약 640nm에 진동수를 가진 적외선 영역에서 실험을 하였다. 따라서 빛이 들어오는지의 여부를 확인하기 위해서 핸드폰 카메라를 이용하였다.
첫 번째 실험은 수광 소자를 이용한 Voltage divider였다. 이 실험은 발광소자(D2)가 내는 빛이 수광 소자(T1)에 도달할 때 에 어떤 현상이 발생 하는지를 관측하는 것이다. 우리 조는 가 330, 이 을 이용하였다. 회로를 직렬로 연결한 후 과 이 있는 곳에는 5V의 일정한 전압을 걸어주고, 와 가 있는 곳은 전압을 변화시키면서 측정하였다. 그 이유는 에 연결된 전압을 크게 할수록 빛이 수광 소자에 더 많이 도달하게 된다. 이 때 전압을 이용하여 빛의 세기를 변화시키면서 를 측정하고, 다른 방법으로 거리에 따라 빛을 달리 주어 을 측정하였다.

참고 자료

실험메뉴얼
수업 시간 이론
네이버 위키 백과 사전
*덕*
판매자 유형Bronze개인

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