[물리학 실험] Bipolar Junction Transistor

소개글

Bipolar Junction Transistor 및 트렌지스터의 원리와 종류, 성질, ] I-V 특성 곡선을 그리고, 각 영역에 대한 이해와 Early Effect에 대한 물리학 실험레포트입니다.

목차

1. 실험목적

2. 기본원리

3. 실험장치

4. 실험방법

5. 실험결과

6. 오차논의

7. 결론

본문내용

[1] 트랜지스터 [transistor]
트랜지스터는 휴대용 계산기와 라디오에서부터 산업용 로봇과 통신위성에 이르는 여러 가지의 전자 장비에 널리 사용된다. 트랜지스터는 1947년 벨 전화연구소에 있던 3명의 미국의 물리학자 존 바딘, 월터 H. 브래튼, 윌리엄 B. 쇼클리에 의해 발명되었다. 이것은 진공관을 대체할 수 있다고 증명되었으며 1950년대 후반에는 여러 응용분야에서 진공관 대신사용되게 되었다. 트랜지스터는 전자공학의 발전에 지대한 공헌을 했는데 소형, 소량의 열발생, 높은 신뢰성, 상대적으로 소량의 전력 소모에 의해 컴퓨터에 필요한 복잡한 회로의 소형화가 가능하게 되었다. 1960년대 후반과 1970년대에는 개개의 트랜지스터 대신 여러 개의 트랜지스터 및 다이오드와 저항기 같은 소자가 작은 반도체의 칩 위에 내장되어 있는 집적회로를 사용하게 되었다. 트랜지스터는 비소나 붕소 등 여러 가지 불순물을 실리콘에 첨가하여 여러 층의 반도체로 이루어져 있다. 이와 같은 불순물에 의해서 전류가 실리콘 내부를 이동하는 방법을 변화시키게 된다. n-형 반도체에서는 전하의 운반자가 주로 자유전자가 되며, p-형 반도체에서는 양공(즉 3개의 외각전자를 가지는 붕소원자가 4개의 외각전자를 가지는 실리콘을 대체하면 빈공간, 즉 양공이 공유전자 에너지 띠에 생기게 됨) 반도체의 양공은 전자와 유사하게 움직이는데 양의 전하를 띠기 때문에 전자와는 반대방향으로 움직인다. 트랜지스터의 종류에는 크게 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번에 실험하고자 하는 npn Bipolar Junction Transistor(BJT)가 쌍극성 접합 트랜지스터이며, FET는 다시 접합 전계효과 트랜지스터(Junction Field Effect Transistor;JFET)와 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor; MOSFET), 그리고 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)가 있다.

참고 자료

없음