접합_다이오드의_특성_예비_보고서_2

소개글

전자실험 보고서 입니다. 남다른 오차와 결과에 대한 분석으로 작성하였으면 좋은 결과를 받은 보고서들입니다.

목차

없음

본문내용

forward current 순방향 전류
reverse current 역방향 전류
threschold voltage 문턱전압
junction capacitance 접합용량

< Si Diode >
- Small signal Diode 로 설명된 데이터 시트를 참고하였습니다.
- Threschold Voltage ( 문턱전압 )을 Forward Voltage 라고도 하며 로 표시합니다. 데이터 시트를 보면 가 5mA 인경우 0.62~0.73V이며 가 10mA 이상인 경우에는 1V로 일정합니다.
- Reverse Current 는 이 20V인 경우 25nA, 이 20V이면서 가 인 경우 50uA, 이 75V인 경 우 5uA 입니다.
- forward current 는 로 표기하며 200mA 입니다.
- junction capacitance 는 접합용량으로 Total Capacitance 로 표기합니다. 이 0 이고 f가 1.0MHz 일때 2pF~4pF 입니다.

< Ge Diode >
- POINT CONTACT GERMANIUM DIODE 로 설명된 데이터 시트를 참고하였습니다.
- Threschold Voltage 는 책을 참고하였습니다. 0.3V
- Reverse Current 는 테스트 조건이 인 경우 100uA 입니다.
- forward current 는 150mA 입니다.
- junction capacitance 는 f=1MHz, V=-1V일 때 1pF 입니다.

참고 자료

네이버 백과사전.
회로이론(J.DAVID IRWIN & R.MARK NELMS).
기초전자회로실험 책 .
http://www.alldatasheet.co.kr/