디스플레이 제조공정 및 개요

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목차

진공공정

디스플레이 및 반도체 전체공정
1)CVD - PECVD
2)PVD -Vacuum evaporation
sputtering

리소그래피공정(Lithography Process)
1)식각 - Plasma etching

본문내용

▣디스플레이 및 반도체 전체 공정
박막공정기술
- 박막형성기술은 반도체 제조공정 중에서 가장 다양성이 풍부한 분야로서 그 장치도 방식과 원리에 있어 매우 다양
화 되어 있다.

박막형성기술이 중요한 이유
형성된 막이 그대로 디바이스 구조 중에 남아 있음
그 디바이스의 특성 양품률 신뢰성 등에 커다란 영향을 주기때문

Pvd법과 cvd법의 비교
Pvd법
물리적 수법(증착 스파더)
-기관은 보통 실온, 가열도 가능하다.
-주로 금속, 도체막의 종류에 제약이 있음.
-진공장치를 이용함.
-막은 퇴적 되며 기관과의 밀착성은
뛰어나다.
-막은 치밀하고 스트레스가 크다.
-벌크에 가까운 막질이 생긴다.
-단차 피복성이 나쁘다.
-조성의 제어는 일단 곤란하다.

Cvd법
-화학적 수법(화학반응)
-기판은 가열된다.
-막질은 온도에 의해 좌우된다.
-절연막 금속,도체막,반도체막 등
모든것에 적용된다.
-플라즈마 cvd,감압 cvd의 경우는
진공을 사용한다.
-막은 퇴적및 표면 반응에 의해
형성 된다.
-밀착성은 파라미터에 따라 변한다.
-단차 피복성은 pvd보다 우수하다
-조성의 제어는 가스의 제거에 의해
가능하다.

참고 자료

없음