다단증폭기회로 설계 동작점 및 파형 분석
- 최초 등록일
- 2012.05.18
- 최종 저작일
- 2012.05
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소개글
회로 동작점과, 파형의 관측
목차
없음
본문내용
현실적 제한 요소:
① 경제성: transistor 등가회로를 활용함으로써 gain 및 파형 등 을 손쉽게 얻을 수 있음을 확인.
② 내구성: PSPICE 를 이용하여 설계의 유지, 보수에 용이
1) 각 노드에 걸리는 전압 및 파형을 이론적으로 구하시오.
●교류등가회로
<중 략>
: 대부분의 경우 이론값과 Multisim의 simulation 결과외 비슷했다. 하지만, 이론에서 계산한
값은 이상적인 결과이고,주파수 부분에서 또한, 차이를 느낄 수 가질 수도 있다. 예를 들면,
Node e의 경우, 본래 결합커패시터의 역할로, 개방시키면 결국 Node e의 직류 전압 존재는
사라지게 된다.즉 0V의 값이 나와야 하지만, Multisim의 simulation에서는 매우 작은, 전압이 존재했
다.이는,주파수의값에서,주파수의값을 조정 하므로,주파수를 더 높인다면, 이라는 식의서 보듯이,
주파수가 0인 경우, 임피던스는 무한대가 되고, 주파수가 높으면 높아질수록, 임피던스의 값은 작아지게 된다.
여기서 알 수 있듯이 관계를 알 수 있다. 이를 토대로, 노드 C의 경우 , 주파수를 10kHz 인경우와,
60Hz인경우를 비교해보면, 왼쪽의 경우, 109uV 오른쪽의 경우, 1.356uV
참고 자료
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