전전컴실 9예비보고서-트랜지스터의 베이스바이어스

소개글

예비보고서-트랜지스터의 베이스바이어스

목차

목적 및 배경

부품 및 사용기기

부품 및 사용기기

결 론

본문내용

실험절차
1. 그림 9-1의 회로를 결선하고 브레드보드에 전원을 공급하라.
2. VOM또는 DMM으로 베이스와 콜렉터 저항양단의 전압을 측정하고 옴의 법칙을 이용하여 그에 상응하는 전류를 구하고, 표9-1에 기록. 이 값으로부터 트랜지스터에 대한 직류 전류이득 또는 베타(β)를 구하면 다음과 같다.
3. VOM 또는 DMM으로 각각 VB 와 VCE를 측정하고 표 9-1에 기록하라.

4. 단계3의 값을 단계2에서 구한 βdc 의 값과 전형적인 0.7V의 베이스 미터 전압을 사용하여 구한 기댓값과 비교하고 표9-1에 기록하라.

5. 이제 VOM또는 DMM으로 콜렉터 전류를 척정하고 있는 동안에 해어드라이어로 트랜지스터의 케이스를 몇 초간 가열하라.

6. 이 실험의 공식을 이용하여 이 회로에 대한 직류부하선상의 포화와 차단점을 구하고 표9-2에 기록하라. 그래프 용지상에 부하선의 끝점으로 계산된 IC(sat)와 VCE(off)의 값에 의한 Q점을 그려라.

7. 다른 2N3904 JXMFOS지스터를 이용하여 단계 2에서 단계5까지를 반복하고 9-1에 기록하라. 두 트랜지스터에서 어떤 차이점을 알수 있는가?
일반적으로 두 트랜지스터는 서로 전혀 다른 Q점의 전압과 전류의 값을 갖는것 을 알 수 있다.

8. 브레드 보드로부터 전원을 제거하고 560kΩ의 저항 RB를 1MΩ의 가변저항으로 바꾸어라. 다시 전원을 브레드보드에 인가하고 트랜지스터의 콜렉터 단자와 접지사이에 전압계를 연결하라.

참고 자료

없음