반도체 다이오드의 특성

소개글

실험결과 레포트

목차

1. 실험 목적
2. 실험에 사용된 기기 및 부품
3. 실험에 바탕이 된 이론
4. 실험 순서
5. 실험 결과
6. 결론

본문내용

반도체는 도체와 부도체의 중간 정도의 저항을 갖는 고체로서 게르마늄 또는 실리콘 결정체이다. 순수 게르마늄 저항은 45[Ω?cm]정도이고, 순수 실리콘의 저항은 수천[Ω?cm]정도이다. 순수 게르마늄이나 순수 실리콘만으로 구성된 반도체를 진성 반도체라고 하는데 이들 진성반도체 자체는 저항이 크기 때문에 진성 반도체 상태를 그대로 이용하지 않고, 3가 원소나 5가 원소를 주입한다. 순수반도체에 3가 원소를 미량 주입한 반도체를 p형 반도체라 하고 순수 반도체에 5가 원소를 미량 주입한 반도체를 n형 반도체라고 한다. 이런 p형 반도체와 b형 반도체가 접합을 형성할 경우에는 그 접합면에 반송자 밀도의 기울기가 생기고 이 때문에 한쪽 방향 즉 p형 쪽에서 n형 쪽으로만 전류가 흐르게 된다. p형 반도체와 n형 반도체가 여러 가지 형태로 조합되어 다이오드 트랜지스터, FET, SCR, IC 같은 반도체 소자가 만들어 진다. 일반적으로 반도체 소자는 1)부피가 작고 가볍다 2)진동에 강하다 3)전력소모가 작다 4)주위환경의 영향이 작다 5)극소형화가 가능하다라는 특성을 갖기 때문에 오늘날의 전자시스템은 모두 반도체 소자로 구성한다.

그림 1-1과 같은 형태의 2단자 소자를 접합다이오드라고 한다. 가 그림1-2와 같이 접속되면 의 (-)극에서 n형으로 자유전자가 들어가고, n형 반도체 내의 자유전자도 pn접합 쪽으로 이동된다. p형 내의 정공은 배터리의 (+)극에 의해 n영역으로 흐르게 된다. 따라가서 회로 전체적으로 볼 때 시계방향의 순방향 전류가 흐르게 되고 접합다이오드는 낮은 순방향저항을 갖게 된다. 이와 같이 p형에 배터리의 (+)극을 n형의 (-)극에 연결하는 것을 순방향 바이어스라고 한다.
그림 1-3과 같이 역방향 바이어스를 가하면 p형의 정공은 배터리의 (-)극 쪽으로 모이고 n형의

참고 자료

없음