전자공학실험2 결과(3장)
- 최초 등록일
- 2012.04.09
- 최종 저작일
- 2011.03
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소개글
전자공학실험2 결과
목차
실험
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
연습문제
예상문제
본문내용
실험
1. MOS 트랜지스터의 게이트, 소스, 드레인 단자에서의 직류 전압을 측정하고, 바이어싱이 바르게 되었는지를 확인하라.
- 증폭기 회로이므로 MOSFET는 saturation영역으로 가야 한다.
vGS≥Vt (유기된 채널) => vGS<Vt로 떨어지면 소자는 차단된다. vDS≥vGS-Vt
위 두 식을 만족 할 때 MOSFET는 saturation영역이다.
Vt는 문턱 전압으로 보통 0.5~1.0V의 범위에 놓인다.
☞ 이 결과로 위의 MOSFET이 sat 모드임을 알 수 있었다.
2. 신호발생기의 정현파 출력이 주파수 10㎑, peak-to-peak 출력전압 100㎷ 정도가 되도록 조절하라. 오실로스코프로 및 에서의 peak-to-peak 신호를 측정하고, 중간대역에서의 증폭기 이득 를 계산하라. 실험에 사용된 10㎑는 중간대역에 포함된 주파수 값이며, =이다.
3. 신호발생기의 주파수를 10㎑에서 서서히 낮추면서 증폭기의 이득이 어떻게 변화하는지를 관찰하고, 중간대역 이득보다 0.707배 더 낮은 이득을 주는 차단 주파수인 을 측정하라. 측정된 값을 중심으로 그림 3.2와 같은 그래프를 얻을 수 있도록 적절한 간격으로 주파수를 바꾸어 가면서 및 에서의 peak-to-peak 값을 측정하라.
참고 자료
없음