전자공학실험1 예비(6장)
- 최초 등록일
- 2012.04.08
- 최종 저작일
- 2011.04
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소개글
전자공학실험 보고서
목차
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본문내용
1) MOSFET의 구조와 물리적인 동작
P형 반도체 위에 n형 반도체가 2개 형성 되어 있고 이 기판의 표면 위에 절연체 역할을 하는 이산화실리콘이 Source 와 Drain 사이의 Channel 영역을 덮고 있다. 각각에는 단자가 있어 총 4개의 단자로 이루어져 있다.
드레인 전압이 인가되고 게이트에 전압이 인가되지 않으면 드레인 다이오드가 역방향으로 바이어스 되는데 이 때 채널 등가 저항이 너무 커서 드레인 전류가 못 흐른다. 이 동작 영역을 차단 영역이라고 한다.
문턱전압 : 채널에 이동 가능한 전자가 충분히 유기되어 도통 채널을 형성하는 게이트 전압 [문턱전압 < 게이트전압]일 때 도통채널이 유기된 상태에서 드레인 전압이 증가하면 드레인과 게이트 사이의 전압차가 감소해 채널은 소스 쪽에는 깊고 드레인 쪽에는 얕은 경사진 채널이 형성된다. 계속 드레인 전압이 증가하면 드레인 전류는 드레인 전압에 따라 선형적으로 증가하지 않고 일정한 크기로 포화되는데 이를 포화 또는 활성화 영역이라 한다.
선형 영역과 활설 영역을 구분하는 드레인 전압 :
(a) (b) (c) : n채널 MOS 트랜지스터 회로기호
(d) (e) (f) : p채널 MOS 트랜지스터 회로기호
2) MOSFET의 전기적 특성
(게이트 전압과 드레인 전압의 크기에 따라 트랜지스터의 동각 영역)
선형 영역에서 드레인 전류 :
참고 자료
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