[전자회로] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

목차

*실 험 목 적
*증가형 MOSFET의 바이어싱 이론
*실 험 방 법
*실 험 결 과

본문내용

*실 험 목 적
1) 포화 영역에서 동작하는 증가형 금속- 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 MOSFET의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
2) 증가형 MOSET를 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다
*증가형 MOSFET의 바이어싱 이론
A. 드레인 특성(특성( = 일정))
공핍형 MOSFET의 구조는 그림 [n채널 공핍형 MOSFET의 구조]와 같으며 (-)는 n채널에 있는 자유 전자를 의미한다. 여기서 = 0[V]일 때 를 증가시키며 전류 를 측정하게 되면, 그림 [n채널 공핍형 MOSFET의 특성]의 (a)와 같이 된다. 먼저 가 작은 경우, 가 증가됨에 따라 드레인 전류 가 직선적으로 증가된다. 그러나 가 일정값 이상이 되면, 그림 [n채널 공핍형 MOSFET의 구조]의 (b)에서와 같이 채널의 저항에 따른 전압 강하로 인해, 상대적으로 많은 p형 기판의 정공이 드레인쪽으로 유입된다. 이러한 정공은 n채널의 자유 전자와 재결합하여 드레인쪽의 채널의 폭을 좁게 만든다. 이 결과 핀치 오프 현상에 의해 드레인 전류 가 포화되며 각 의 값에 대해서 같은 동작을 반복한다.

참고 자료

없음