[전자회로] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

등록일 2002.11.06 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,000원

목차

*실 험 목 적
*증가형 MOSFET의 바이어싱 이론
*실 험 방 법
*실 험 결 과

본문내용

*실 험 목 적
1) 포화 영역에서 동작하는 증가형 금속- 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 MOSFET의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
2) 증가형 MOSET를 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다
*증가형 MOSFET의 바이어싱 이론
A. 드레인 특성(특성( = 일정))
공핍형 MOSFET의 구조는 그림 [n채널 공핍형 MOSFET의 구조]와 같으며 (-)는 n채널에 있는 자유 전자를 의미한다. 여기서 = 0[V]일 때 를 증가시키며 전류 를 측정하게 되면, 그림 [n채널 공핍형 MOSFET의 특성]의 (a)와 같이 된다. 먼저 가 작은 경우, 가 증가됨에 따라 드레인 전류 가 직선적으로 증가된다. 그러나 가 일정값 이상이 되면, 그림 [n채널 공핍형 MOSFET의 구조]의 (b)에서와 같이 채널의 저항에 따른 전압 강하로 인해, 상대적으로 많은 p형 기판의 정공이 드레인쪽으로 유입된다. 이러한 정공은 n채널의 자유 전자와 재결합하여 드레인쪽의 채널의 폭을 좁게 만든다. 이 결과 핀치 오프 현상에 의해 드레인 전류 가 포화되며 각 의 값에 대해서 같은 동작을 반복한다.
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • 소신호 공통소스 FET 증폭기 5 페이지
    * 실험개요 소신호 공통소스 FET 증폭기의 동작 원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석한다. * 실험 방법. 1. 공통..
  • 실험10. 소스 공통 증폭기 예비보고서 7 페이지
    실험 목적 1. MOSFET의 드레인(drain)특성을 실험적으로 결정한다. 2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다. 3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정한다. 기초 이론 ① JFET..
  • FET 증폭기 pre report ( 이론 ) 8 페이지
    The Junction Field Effect Transistor (JFET) 바이폴라 트란지스터는 낮은 입력임피단스, 고주파수에서의 낮은 이득, 그리고 콜렉터-에미터간 전압이 낮으면(대개 2v보다 작은 경우) 비선형 특성..
  • MOSFET 공통 소스 증폭기_프리랩 1 페이지
    1. 제목 : 실험 24 MOS-FET 공통 소스 증폭기 2. 실험 목적 가. MOS-FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다. 나. FET 증폭기에 대한 여러 가지 바이어스를 고찰한다. 다. MOS-F..
  • BJT 와 MOSFET의 장단점 15 페이지
    동작원리 전자와 Hole 모두 전류를 발생시키는데 이용. (Bipolar Junction Transistor) ※ Gate에는 전류가 흐르지 않는다. 도선을 얇게 할 수 있어서 소자 크기가BJT에 비해 훨..
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      최근 본 자료더보기
      추천도서