[전자회로]BJT의 단자특성

등록일 2002.11.06 | 최종수정일 2017.02.21 한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 5,000원

소개글

TR의 기초개념

목차

목 적

기본 지식
1. 물리적인 구조와 회로기호
2. npn의 동작
3. BJT 바이어싱

준 비

이 론 치
1) IC - VBE 계산
2) IC - VCE 계산

시뮬레이션

실험 결과
1. 활성 모드에서의 NPN 트랜지스터의 동작
2. BJT 바이어싱

PSPICE SIMULATION

고 찰

본문내용

1. 물리적인 구조와 회로기호
바이폴라 접합 트랜지스터 (bipolar junction transistor: BJT)는 반도체의 pn 접합을 사용하여 증폭 작용을 하도록 만든 능동 소자로서 에미터, 베이스, 콜렉터의 세 부분으로 이루어 진다. 다음과 같이 접합 형식에 따라 npn 트랜지스터와 pnp 트랜지스터로 구별되고, 증폭기로 사용할 때에는 입력과 출력에 공통으로 사용하는 단자에 따라 공통 에미터 증폭기, 공통 베이스 증폭기, 그리고 공통 콜렉터 증폭기로 분류된다
BJT 바이어싱
※ BJT 바이어스 해석 또는 직류 해석을 위한 절차
1) 트랜지스터가 활성 모드에서 동작한다고 가정한다.
2) 트랜지스터의 대신호 모델을 도입한다.
3) IB, IC, IE를 구한다.
4) 트랜지스터가 실제로 활성 모드에서 동작하는지를 검증한다. (이미터-베이스 접합이 순바이어스되어 있고,
컬렉터-베이스 접합이 역바이어스되어 있는지를 확인한다.)
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