[반도체] PN Junction Diode

등록일 2002.11.02 한글 (hwp) | 26페이지 | 가격 1,000원

소개글

실험결과와 고찰을 받아보시면 만족 하실것입니다.
계산과정과 엑셀로 파형을 띄운것을 보시면..
많은 도움 되셨으면 합니다.

목차

실험목적
실험이론
실험원리
실험방법
실험결과
고찰

본문내용

6.고찰
여러 단계의 공정이 필요한 N+P junction을 제작하면서 더 많은 제작공정을 거치게 되었다.
Diffusion 공정 후 몇 일이 지나면 약 수 nm 정도의 SiO2의 자연 산화막이 생성된다. 이를 HF를 사용하여 500um의 구멍에 쌓인 SiO2를 Etching시켜 준다. 그렇지 않으면 웨이퍼 상의 접촉 특성이 나빠지게 되는데 유기 cleaning 후에도 산화막이 생성되지만 약 1n정도의 SiO2는 터널링으로 극복할 수 있다.
HF을 사용한 Etching 후에는 DI-Water에 담구어 더 이상 Etching이 지속되지 않도록 한다. 산화막이 모두 제거되었다면, 웨이퍼 상에 물이 맺히지 않는다.
웨이퍼의 Dot 측정 시 현미경으로 보면 500um의 현상 부분이 오뚜기 모양으로 넓게 퍼져 보이는 것이 많았다.
Al 전극을 입힌 후 전극 면의 오믹 콘택을 좋게 하기 위해 400℃에서 10분간 N2가스를 흘려주면서 annealing을 실시하였다. 어닐링은 단순한 열처리 과정으로 전극과의 접촉면의 효과를 높이기 위함이다.지난번 실험에서 제작했던 Schottky Diode와 n+p Junction Diode를 비교하면 I-V(Turn-On Voltage)는 Schottky Diode는 약 0.2 VD(volts)에서 상승되고 n+p Junction Diode 약 0.35VD(volts)에서 상승하였다.
이하 글자수 관계로 생략

참고 자료

마이크로전자회로 정원섭 저
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