[전자회로] 모스캐패시터

등록일 2002.11.02 한글 (hwp) | 18페이지 | 가격 1,000원

소개글

1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.

2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)
MOS capacitor

목차

실험목적
실험이론
실험방법
실험결과
고찰

본문내용

♣ 고 찰
MOS Capactor는 소스와 드레인을 제거한 후 게이트 영역에 전극을 충,방전시키는 역할을 한다.
우선 우리는 Wafer를 Cleaning을 한다음 oxcidation을 했다. 이것은 절연막을 형성해 주는 기술로 열산화물이 가장 많이 사용된다. 또한 oxcidation은 온도에 따라서 사용하는 방법 및 산화막의 두께가 달라진다. 우리는 Furnce에서 약 1050 에서 1시간 30분 동안 oxcidation을 했는데 열산화법이 아닌가 생각이 된다. 그리고 우리가 사용한 Furnce는 먼저 실험인 pn junction에서 anneling 공정시에 사용하였던 ststem이다. 우리는 oxcidation이 끝난 후에 이 산화 막의 두께를 측정하기위하여 엘립소메타를 사용하였고 우리조가 산화막 두께를 측정하였을때는 약 1000 의 두께를 측정할 수 있었다.
그 다음으로 우리는 sample wafer를 가지고 sample wafer의 뒷면을 HF로 etching을 하였다. Oxcidation을 한 wafer는 양쪽면이 다 되있기 때문에 MOS의 C 측정을 위한 전극을 형성하기 위하여 HF를 이용하여 뒷면을 etching을 하였다.
그리고 Evaporator를 이용하여 전극을 입혔다. 이것은 gate 및 Back gate를 형성하기 위한 기술로 전에도 많은 실험을 했었다. Back gate는 전극의 역할도 하지만 누설전류를 막아주는 역할도 한다.

참고 자료

"마이크로 전자회로"정원섭 저
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